Bedeutung von "プラズマ‐エッチング" im Wörterbuch Japanisch

AUSSPRACHE VON プラズマ‐エッチング AUF JAPANISCH

ぷらずま		えっちんぐ
プラズマ	‐	エッチング
purazuma		ettingu

WAS BEDEUTET プラズマ‐エッチング AUF JAPANISCH

Definition von プラズマ‐エッチング im Wörterbuch Japanisch

Plasmaätzen [Plasmaätzen] Ein Verfahren zum Herstellen von feinen Schaltungen, wie integrierten Halbleiterschaltungen, unter Verwendung von Plasma. Chemisches oder physikalisches Entfernen unnötiger Atome durch Aussetzen der Probe Plasma. Insbesondere wird der Prozess der reaktiven Verdampfung mit aktiven Ionen im Plasma und das Entfernen von unnötigen Atomen als reaktives Ionenätzen (RIE) bezeichnet.

プラズマ‐エッチング【plasma etching】 プラズマを用いて、半導体集積回路などの微細回路を作製する方法。プラズマ中に試料をさらすことにより、不必要な部分の原子を化学的または物理的に取り去る。特に、プラズマ中の活性イオンと反応気化させて不要原子を取り去るプロセスを反応性イオンエッチング（RIE）と呼ぶ。

ÜBERSETZUNG VON プラズマ‐エッチング

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• Übersetzer Deutsch - Chinesisch: 等离子刻蚀
• Übersetzer Deutsch - Spanisch: grabado por plasma
• Übersetzer Deutsch - Englisch: Plasma etching
• Übersetzer Deutsch - Hindi: प्लाज्मा नक़्क़ाशी
• Übersetzer Deutsch - Arabisch: النقش البلازما
• Übersetzer Deutsch - Russisch: Плазменное травление
• Übersetzer Deutsch - Portugiesisch: gravação por plasma
• Übersetzer Deutsch - Bengalisch: প্লাজমা শিল্পকর্মের
• Übersetzer Deutsch - Französisch: gravure plasma
• Übersetzer Deutsch - Malaysisch: Pemotongan plasma
• Übersetzer Deutsch - Deutsch: Plasma-Ätzen
• Japanisch: プラズマ‐エッチング
• Übersetzer Deutsch - Koreanisch: 플라즈마 에칭
• Übersetzer Deutsch - Javanisch: etching plasma
• Übersetzer Deutsch - Vietnamesisch: khắc plasma
• Übersetzer Deutsch - Tamil: பிளாஸ்மா எச்சிங்
• Übersetzer Deutsch - Marathi: प्लाजमा कोरीव काम
• Übersetzer Deutsch - Türkisch: Plazma dağlama
• Übersetzer Deutsch - Italienisch: incisione al plasma
• Übersetzer Deutsch - Polnisch: trawienia plazmowego
• Übersetzer Deutsch - Ukrainisch: плазмове травлення
• Übersetzer Deutsch - Rumänisch: gravarea cu plasmă
• Übersetzer Deutsch - Griechisch: χάραξης πλάσματος
• Übersetzer Deutsch - Afrikaans: plasma ets
• Übersetzer Deutsch - Schwedisch: plasmaetsning
• Übersetzer Deutsch - Norwegisch: Plasma etsning

10 BÜCHER, DIE MIT «プラズマ‐エッチング» IM ZUSAMMENHANG STEHEN

Entdecke den Gebrauch von プラズマ‐エッチング in der folgenden bibliographischen Auswahl. Bücher, die mit プラズマ‐エッチング im Zusammenhang stehen und kurze Auszüge derselben, um seinen Gebrauch in der Literatur kontextbezogen darzustellen.

図解入門よくわかる最新半導体製造装置の基本と仕組み: 製造装置の全体を俯瞰する

巧ラ平板式のエッチング装置の他に、高密度プラズマを形成できる方式のエッチング装置が主流になっています。ここではその代表例をいくつか紹介します。 0 微細化卜レンドに対応するエッチング装置^ ^ ^ ^ ^ ^エッチングは最先端のリソグラフィー装置で形成 ...

佐藤淳一, 2010

プラズマ半導体プロセス工学: 成膜とエッチング入門

プラズマCVDとエッチング技術の基礎を整理,解説

市川幸美, ‎佐々木敏明, ‎堤井信力, 2003

図解入門よくわかる最新半導体の基本と仕組み: - 181 ページ

譬ドライエッチングドライエッチングは、液体の薬品を使わずに腐食を行います。 ... 反応性イオンエッチングは、チャンバ一内部に近接して対向電極を置き、ー方の電極上にゥエ一八を設置し、プラズマ発生で生成したイオンを被エッチング材料に吸着させて表面 ...

西久保靖彦, 2011

Denki Tsūshin Kenkyūjo Kenkyū Jitsuyōka Hōkoku [Electrical ...

ドレイン'邀極の窓開けを尺 185 とバレル型プラズマエッチングを併用して行なう'.引続いて,八 1^6ル1 あるいは八"(^/^;を蒸着し,リフトオフの後 82 雰囲気中 460 で, 30 秒熟処理することによってォーミック電極を形成する(凶 1 び)). 0#層の上にォーミ'ソク電極は ...

Nihon Denshin Denwa Kōsha. Musashino Denki Tsūshin Kenkyūjo, 1984

Kōjō jidōka jiten - 587 ページ

ドライエッチングの分類チングガス圧力(丁 01 ^エッチングガスエッチング機構エッチング幅リ加)プラズマ 10—10-1 ( ^ , , ( ^ぷじレ等化学反応ン 3 ガス I ,ソードカ 7 プリング式アノード力ソ 814.22 反応性イオンエッチングブリング式反応性イオンェ' ...

Toshio Sata, 1983

よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み: プロセスの全体を俯瞰する : あなたの知らない半導体の秘密がわかる

その後、ドライエッチングが主流になり、エッチング時のダメージでウェット処理では完全に除去しにくくなり、かつ、廃液処理などの問題 ... そのプロセスに用いる装置はエッチングの章で説明する真空チャンノヾ一に酸素ガスを導入し、プラズマを発生させるよう構成 ...

佐藤淳一, 2013

フォトニック結晶 - 426 ページ

図 12.2 に示すように、自己クローン化とその後に垂直孔のプラズマエッチングをする組合せが理論的に調べられたが( Notomi 2000b )、この方法はまだ実験で実証されていない。まとめると、自己組織化法により得られる構造にはほとんど多様性がなく、この ...

Jean-Michel Lourtioz, ‎Jean-Michel Gerard, ‎Henri Benisty, 2012

図解入門よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み: - 117 ページ

プラズマ生成のメカニズム(図表 6 - 3 - 1 】《繰り返す^^^^〇や〇ィ才ン,ジカル—生成プラズマエッチングプロセス 違いとは? ^ ^ ^ ^ ^ ^. 電子分子,原- ―〇電界による加速 0 衝突プラズマプラズマ中の電位(図表 6 - 3 - 2 〉フローポテンシャル氮相中の平均自由 ...

佐藤淳一, 2010

半導体が一番わかる - 136 ページ

銅版画のエッチングと同じ原理ですが、寸法が a m 以下の精度が要求されます。とくにトランジスターの寸法制御は、性能の均一性に影響するために厳しく管理されています。エッチングには、溶液を用いるウエットエッチングとプラズマガスを用いるドライ ...

内富直隆, 2014

図解入門よくわかる最新薄膜の基本と仕組み: - 126 ページ

基本的に真空中で行われるエッチングが、ドラあるのに対し、ドライプロセスは真空を基本とる気体イオンを用いたプロセスです。エッチングガスと高周波プラズマが利用されます(たいていは容量結合プラズマ)。スパッタリングにはイオン衝ルギ—でソフトな ...

深津晋, 2011

10 NACHRICHTEN, IN DENEN DER BEGRIFF «プラズマ‐エッチング» VORKOMMT

Erfahre, worüber man in den einheimischen und internationalen Medien spricht und wie der Begriff プラズマ‐エッチング im Kontext der folgenden Nachrichten gebraucht wird.

半導体製造における用途拡大で高純度フッ化水素の供給体制を強化

さらにCORは、従来のプラズマエッチングやウエットエッチングに代わる微細化エッチングとして注目され、同工程で使用される高純度HFの需要も増加している。そのため同社では、2015年3月に川崎事業所の製造設備を増強し、併せて、100％出資子会社で ... «＠IT MONOist, Mai 15»

昭電工が続伸、高純度ＨＦの供給体制を強化

高純度ＨＦは薬液によるウエットエッチングに比べて生産性の向上が図れることや、プラズマを利用したプラズマエッチングに比べて低コスト化が図れることから、将来的にも需要の拡大が見込まれている。これに対応すべく今年３月に川崎事業所にある既存設備 ... «株探ニュース, Apr 15»

３次元量子ドット構造の形成実現によるＬＥＤ発光を世界で初めて観察 …

また、プラズマエッチング注５）では、ナノメートルスケールの構造形成においてはプラズマからの紫外線照射による表面欠陥生成が大きな問題となっています。特に化合物半導体はシリコンに比べて不安定な材料でプラズマに対して脆弱であるため、プラズマ ... «科学技術振興機構, Sep 14»

三友製作所、局所的にエッチング加工できる卓上プラズマエッチング加工 …

【水戸】三友製作所（茨城県常陸太田市、加藤木克也社長、０２９４・７２・２２４５）は、局所的にエッチング加工できる「マイクロプラズマ技術」と加工後のかすを少なくできる「吸引プラズマ技術」を導入した卓上タイプのプラズマエッチング加工装置（写真）を発売した。 «日刊工業新聞, Aug 14»

「世界初」の卓上プラズマエッチング装置、ミクロンレベルの加工が可能

三友製作所の開発した卓上プラズマエッチング加工装置の大きさは、幅250mm、奥行き250mm、高さ247mmの卓上サイズで、電波 ... また、真空容器内に導入されたエッチングガスをプラズマガンが入った石英ガラス管内に吸引してプラズマを発生させる、吸引 ... «＠IT MONOist, Aug 14»

Lam Research、ALDプロセスの製品ラインに原子層エッチングを追加

この先進的な構造の要件に、従来のプラズマエッチングおよび蒸着プロセスは対応できないため、新しいアプローチが必要となる。ALEとALDは、一度にいくつかの原子層で蒸着と除去を行うマルチステッププロセスのサイクルを使用して、正確に制御する ... «マイナビニュース, Jul 14»

ヌーシャテルの新研究センター 時計業界に革命を起こせるか？

伝統的な機械加工や金属プレス工程は今でも時計製造で重要な役割を果たしているが、一方でレーザー加工や３D印刷、プラズマエッチングといった新技術に対する期待も高まっている。 「要求が高く洗練された顧客、激化する競争、絶え間ない技術の進化。 «swissinfo.ch, Jun 14»

遷移金属や磁性体の高精度無損傷化学反応エッチング技術の開発に …

通常のプラズマエッチングプロセスは、既に半導体プロセスで用いられる多くの材料に対して適用されており、その反応メカニズムも明らかにされています。しかし、遷移金属および磁性体に関しては、プラズマエッチングプロセスで通常用いられるハロゲン系の ... «科学技術振興機構, Jun 14»

エッチング装置やテスト装置、3次元IC時代に備える

東京エレクトロンは、3次元構造のメモリやトランジスタ向けにプラズマエッチング装置「Tactras Vigus」「Tactras RLSA」を紹介した。同社によれば、これらの特長は「高選択比」だという。「3次元ICでは、エッチングが必要な箇所と不要な箇所を非常に微細なレベル ... «EE Times Japan, Dez 13»

東北大、超低損傷中性粒子ビーム加工技術でグラフェンナノリボンを実現

その結果、電流電圧特性のオン/オフ比が従来のプラズマエッチングにおいて形成されたグラフェンナノリボンでは得られなかった104以上を実現することに成功した。また、このオン/オフ比より算出されたバンドギャップは0.45eVと高い値を示したという。 «マイナビニュース, Sep 13»