Significado de "ランダム‐アクセス‐メモリー" en el diccionario de japonés

PRONUNCIACIÓN DE ランダム‐アクセス‐メモリー EN JAPONÉS

らんだむ		あくせす		めもりー
ランダム	‐	アクセス	‐	メモリー
randamu		akusesu		memori-

QUÉ SIGNIFICA ランダム‐アクセス‐メモリー EN JAPONÉS

definición de ランダム‐アクセス‐メモリー en el diccionario japonés

Memoria de acceso aleatorio [memoria de acceso aleatorio] RAM (RAM)

TRADUCCIÓN DE ランダム‐アクセス‐メモリー

Conoce la traducción de ランダム‐アクセス‐メモリー a 25 idiomas con nuestro traductor multilingüe.

Las traducciones de ランダム‐アクセス‐メモリー presentadas en esta sección han sido obtenidas mediante traducción automática estadística a partir del idioma japonés.

• Traductor japonés - chino: 随机存取存储器
• Traductor japonés - español: Memoria de acceso aleatorio
• Traductor japonés - inglés: Random access memory
• Traductor japonés - hindi: क्रमरहित याद करना
• Traductor japonés - árabe: ذاكرة الوصول العشوائي
• Traductor japonés - ruso: Оперативная память
• Traductor japonés - portugués: Memória de acesso aleatório
• Traductor japonés - bengalí: রেম
• Traductor japonés - francés: Mémoire à accès aléatoire
• Traductor japonés - malayo: ingatan capaian rawak
• Traductor japonés - alemán: Arbeitsspeicher
• japonés: ランダム‐アクセス‐メモリー
• Traductor japonés - coreano: 랜덤 액세스 메모리
• Traductor japonés - javanés: memori akses acak
• Traductor japonés - vietnamita: Về điện toán
• Traductor japonés - tamil: சீரற்ற அணுகல் நினைவகம்
• Traductor japonés - maratí: रँडम ऍक्सेस मेमरी
• Traductor japonés - turco: Rastgele erişim belleği
• Traductor japonés - italiano: Memoria ad accesso casuale
• Traductor japonés - polaco: Pamięć o dostępie swobodnym
• Traductor japonés - ucraniano: Оперативна пам´ять
• Traductor japonés - rumano: Memorie cu acces aleator
• Traductor japonés - griego: Μνήμη τυχαίας προσπέλασης
• Traductor japonés - afrikáans: Ewetoeganklike geheue
• Traductor japonés - sueco: Direktminne
• Traductor japonés - noruego: Random access memory

10 LIBROS DEL JAPONÉS RELACIONADOS CON «ランダム‐アクセス‐メモリー»

Descubre el uso de ランダム‐アクセス‐メモリー en la siguiente selección bibliográfica. Libros relacionados con ランダム‐アクセス‐メモリー y pequeños extractos de los mismos para contextualizar su uso en la literatura.

半導体が一番わかる - 106 ページ

半導体デバイスの中でも半導体メモリーは、携帯電話やデジカメなどの記憶媒体として身近な存在です。さまざまな半導体 ... 揮発性メモリの代表格は、パソコンの作業用メモリーとして使われる RAM (ランダム・アクセス・メモリー)です。もっとも普及している ...

内富直隆, 2014

Shōkai Linux kāneru - 34 ページ

V プログラマは、物理メモリの構成について配慮せずに済むため、マシンに依存しないコードを書くことができる仮想記憶サブシステムで ... 8.2 ランダムアクセスメモリの使用すべてのオペレーティングシステムでは、 I ?八 VI を 2 つの部分に明確に分けています。

ダニエル・P. ボベット, 2007

世界に勝てる! 日本発の科学技術

スピントロニクス化する次世代メモリースピントロニクスの原理をそのまま不揮発性メモリーに取り込んだのが、「磁気記録式ランダムアクセスメモリー(MRAM)」である。現在実用化されているメモリーには、電源を切るとデータが消える揮発性メモリーと、電源を切っ ...

志村幸雄, 2011

OHM電気電子情報英和・和英辞典 - 489 ページ

ランダムアクセスデイスクリートアドウレスラム(ランダムアクセスメモリー)ラムカ一ドウ(ランダムアクセスメモリートドウ)ラムデイスク(ランダムアクセスメモリーデイスク)ラムドライブ(ランダムアクセスメモリードライブ)ラムポードウ(ランダムアクセスメモリーボードウ) ...

新電気編集部, 1996

コンピュータグラフィックス理論と実践 - 852 ページ

その理由は、水平と垂直のラインを追跡し直している問、ピクセルが走査されないためである正脚日 1 丁 84 ] o これに対して、単純なダイナミツクランダムアクセスメモリ(口只八肌)のシステムは、サイクルタイムが約 200 ナノ砂であり、要求スピードよりも随悟 ...

James D. Foley, ‎Andries van Dam, 2001

Iwanami kagaku hyakka - 1226 ページ

どのロケーションにたいしても,一定の時間でランダムアクセスをおこなうことができる記憶装匿を,ランダムアクセスメモリ一'ユニットとよぶ。主記憶装置がその代表的な例である。外部記憶装置のうちの磁気ディスク装置なども,近似的にはそれぞれのロケーシヨン ...

岩波書店. 編集部, 1989

スタート！基本情報技術者問題集2015(情報処理技術者試験): 最新5期の午前問題400問を完全収録

不揮発性メモリとは、電力を供給しなくても格納した情報を保持できるメモリのことです。 DRAM(Dynamic Random ... SRAM(スタティックランダムアクセスメモリ)は、コンピュータのキャッシュメモリなどに利用される揮発性メモリです。 ROMとHDDが不揮発性 ...

西村靖夫, 2014

ガベージコレクションのアルゴリズムと実装 - 271 ページ

111111 叩はフアイルの内容をまるごとメモリにマッピングしてしまうシステムコールです。メモリはフアイルよりもランダムアクセスが得意ですので、先ほどのプログラムは非常に高速に動作します。! ! ! ! ! !叩を使えば先ほどのプログラムは次の処理が実行される ...

中村成洋, ‎相川光, 2010

情報通信略語辞典 - 443 ページ

また 1 ^ &り II 八 0 夏八 1-3030111300033 ^0011111611111136X111^ 3113 1 - 611 - 1 ^ 31 ランダムアクセスドクメント ... 社の製品- 3VI1-30^0111-300638 11160101- ^ラ厶;ランダムアクセスメモリー:任意のアクセスが" I 能なコンピュータ用^憶装置.

竹野萬雪, 1990

科学立国日本を築く: 極限に挑む気鋭の研究者たち - 217 ページ

丸文研究交流財団選考委員会, 2006

4 NOTICIAS EN LAS QUE SE INCLUYE EL TÉRMINO «ランダム‐アクセス‐メモリー»

Conoce de qué se habla en los medios de comunicación nacionales e internacionales y cómo se emplea el término ランダム‐アクセス‐メモリー en el contexto de las siguientes noticias.

3D XPoint、SSD市場の早期奪取は困難だが装置産業に恩恵

NANDフラッシュメモリーに比べて1000倍高速で、1000倍書き換え寿命が長く。しかもNANDフラッシュと異なり、ランダムアクセスメモリーとして利用可能で、同様の性質を持つDRAMに比べて記録密度が10倍高いという、抜けた性能をたたき出す技術だという。 «日経テクノロジーオンライン, Oct 15»

スピン・トランスファー・テクノロジーズ、業界ベテランのネルソン・チャンを …

米カリフォルニア州フリーモント--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 画期的な垂直スピン注入磁気抵抗ランダムアクセスメモリー技術（OST-MRAM™）を開発するリーダー企業のスピン・トランスファー・テクノロジーズ（STT）は本日、ネルソン・チャンを ... «Business Wire, Oct 13»

スピンRAM（MRAM）の大容量化につながる新構造のTMR素子

ギガビット(Gbit)級の次世代磁気抵抗ランダムアクセスメモリー（MRAM）の実現のため、スピントルク磁化反転と呼ばれる情報書き込み技術を用いたMRAM（スピンRAM）の開発競争が激化している。スピンRAMでは、情報はトンネル磁気抵抗（TMR）素子中の ... «産業技術総合研究所, Ene 10»

超低消費電力・高速動作を兼ね備えた不揮発性抵抗変化メモリー素子 …

RRAMは、遷移金属酸化膜を金属電極で挟んだ構造で、その酸化膜の電気抵抗変化を記憶情報とするメモリー素子であり、低消費 ... ナノ秒(1/100,000,000秒)程度であり、これは高速動作を特徴とする磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)に匹敵する。 «産業技術総合研究所, Sep 08»