MOTS EN ALLEMAND EN RAPPORT AVEC «MΩ»
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10 LIVRES EN ALLEMAND EN RAPPORT AVEC «MΩ»
Découvrez l'usage de
MΩ dans la sélection bibliographique suivante. Des livres en rapport avec
MΩ et de courts extraits de ceux-ci pour replacer dans son contexte son utilisation littéraire.
1
Stahlbau: Grundbegriffe und Bemessungsverfahren
Für den Sonderfall des Stabes mit I-Querschnitt kann Mω als Kräftepaar der
beiden Flanschbiegemomente M sup und Minf (Bild 4.29) definiert werden: Mω =
Msup(h–tf) (4.53) Mit der Definition des Flanschbiegemomentes Msup gemäss (
4.47 ...
Manfred A. Hirt, Rolf Bez, Alain Nussbaumer,
2007
2
Analyse des Betriebsverhaltens von ...
Lukas Lüke. MEA-Typ ein nahezu konstanter Ohm'scher Zellwiderstand um 80
mΩ cm2 über 1100 h gemessen [18]. Ähnlich geringe Veränderungen des Ohm'
schen Zellwiderstands wurden auch in Versuchen mit anderen MEAs erzielt.
3
Entwicklung supraleitender, strombegrenzender Transformatoren
Strombegrenzung Widerstand OS-Wicklung (77 K) R os 18 mΩ Widerstand OS-
Wicklung bezogen bei (77 K) R'os 6 mΩ Streureaktanz Supraleitender
Transformator Xσ 263 mΩ Streureaktanz Supraleitender Transformator bezogen
X'σ 95 mΩ ...
4
Bestimmung der Messunsicherheit nach GUM
MESSGRÖßE / KLEINSTE ANGEBBBARE MESSUNSICHERHEIT (RELATIV
KALIBRIERGEGENSTAND MESSBEREICH BEMERKUNGEN ZUR
MESSGRÖßE) 1mΩ 5⋅10-6 2⋅10-6 4⋅10-6 3⋅10-6 (...) 10 mΩ Die kleinste 100
mΩ 1 Ω (.
5
Stahlbau: Teil 2 - Stabilität und Theorie II. Ordnung
Bei den Nachweisen in Tabelle 7.8 sind die Bedingungen Mxp = Mxs = Mω = 0
enthalten. Die Bedingung Mω = 0 führt dazu, dass der Querschnitt bei gewissen
Schnittgrößenkombinationen nicht voll durchplastiziert ist. Die vorhandenen ...
6
LED Überwachung: Ausfallüberwachung von Leuchtdioden in ...
... 4,5 MΩ bei einer Sperrspannung von 5V und einer Beleuchtungsstärke von 10
lx bis 2000 lx. nur Umgebungslicht nur Sendelicht Umgebunslicht + Sendelicht ∆
Ri,Foto 3,6 MΩ 81,6 KΩ 68 KΩ ∆Ri,LED 10 MΩ 8,2 MΩ 3,6 MΩ Der differentielle ...
7
Quasi-eindimensionale elektronische Zustände auf der ...
Für eine π-Kette, die eine Stufe kreuzt, ergibt sich damit ein Widerstand von 0,5
MΩ. Wir nehmen an, dass die Leitfähigkeit der Si(111)-2×1- Fläche kleiner ist als
des metallischen Adsorbatsystems Si(111)-Ag. Der Widerstand Rπ über eine ...
Jens Karsten Garleff,
2005
8
Die tribologischen Eigenschaften von vergoldeten ...
AuCo einen Übergangswiderstand von 2 − 3 mΩ auf. Bei der maximal
untersuchten Beanspruchung mit FN = 4,6 N sinkt der Übergangswiderstand
unter einen Wert von 1 mΩ. Die Untersuchung der Paarung LP-NiP vs. Terminal-
AuCo liefert ...
9
Materialsysteme für das pulverbettbasierte 3D-Drucken
Es soll zusätzlich keine Verminderung der Festigkeit durch die Leiterbahnen
gegenüber polymerem Grundmaterial vorliegen. Zudem soll eine spezifische
Leitfähigkeit von mindestens 10 mΩ−1mm−1 (Hofmann et al. 2007) und eine
Breite der ...
10
Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von ...
Dadurch konnte der für die Verlustleistung verantwortliche spezifische
Durchlasswiderstand Rsp =RDS(on)·A mΩ·mm2 ebenfalls gesenkt werden. Vor
fünf Jahren wurde in der Spannungsklasse von 50 V der Durchchlasswiderstand
von 100 ...
10 ACTUALITÉS CONTENANT LE TERME «MΩ»
Découvrez de quoi on parle dans les médias nationaux et internationaux et comment le terme
MΩ est employé dans le contexte des actualités suivantes.
D2PAK+ 40V, 160A, 1.5 mΩ MOSFETs for automotive applications
The TK1R5R04PB is rated for 40V and 160A and has a maximum on resistance of 1.5 mΩ (VGS = 10V). Minimum and maximum voltage threshold ratings (Vth) ... «EDN Europe, oct 16»
Toshiba unveils D2PAK+ 40V 160A 1.5mΩ MOSFET for Automotive ...
The TK1R5R04PB is rated for 40V and 160A and has a maximum on resistance of 1.5mΩ (VGS = 10V). Minimum and maximum voltage threshold ratings (Vth) ... «Automotive World, oct 16»
Industrieerster 1000-V-MOSFET in Siliziumkarbid für Batterie-Lader
Der On-Widerstand des 1000-V-MOSFET im 4L-TO247-Gehäuse beträgt 65 mΩ. Erhältlich ist der SiC-Baustein unter der Artikelnummer C3M0065100K bei ... «Elektronikpraxis, oct 16»
Vishay Intertechnology Low-Profile, High-Current Inductors ...
Offered in the 2727, 4027, 4031, and 5151 case sizes, Vishay Dale IFLR series devices offer high saturation current to 71 A, very low DCR to 0.26 mΩ, and ... «GlobeNewswire, sept 16»
800 V sets a new benchmark in efficiency and thermal performance
The 800 V CoolMOS P7 MOSFET family will be available in twelve R DS(on) classes and in six packages, and parts with R DS(on) of 280 mΩ, 450 mΩ, 1400 mΩ ... «EETE Power Management, sept 16»
1.2kV SiC half-bridge has 3.6mΩ switches
1.2kV SiC half-bridge has 3.6mΩ switches. Wolfspeed has cut switch resistance to 3.6mΩ in its 1,200V all-silicon carbide half-bridge. «Electronics Weekly, juil 16»
Siliziumkarbid: Infineon präsentiert 1200-V-SiC-MOSFET
Die ersten diskreten 1200-V-CoolSiC-MOSFETs sind mit einem Durchlasswiderstand (R DS(ON)) von nur 45 mΩ spezifiziert und werden in 3- oder 4-poligen ... «elektroniknet.de, mai 16»
Prinzip der Messung des Isolationswiderstands
Eine ordnungsgemäße und zuverlässige Isolierung muss höhere Werte (Größenordnung: 5 MΩ, 10 MΩ, 20 MΩ und mehr) aufweisen. Geringere Messwerte (< 5 ... «elektrofachkraft.de, mars 16»
Neues von Arrow: LTC3649 - 60 V/4 A-Synchron-Abwärtsregler mit ...
Der LTC3649 enthält Leistungsschalter mit einem RDS(ON) von nur 100 mΩ bzw. 50 mΩ und erzielt dadurch Wirkungsgrade von bis zu 95 %. Der Burst Mode® ... «PresseBox, janv 16»
Wide-Bandgap-Materialien: GaN gibt Gas
Der Baustein »TPH3205WS« mit einem On-Widerstand von 52 mΩ und einer maximalen Strombelastbarkeit von 34 A nutzt das propretäre ... «elektroniknet.de, nov 15»