«カルコゲン» 관련 일본어 책
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Researches of the Electrotechnical Laboratory
式の各項を説明する便宜上, 1 = 1 を 20 , 3 = 2 をカルコゲンとしよう。~は単原子層中の表面原子澳度で, ^およびんは,カルコゲンの 20 の被覆表面に対する付着確率および 20 のカルコゲンの被覆表面に対する付着確率を示す。〜および 7 ^は,各々, ...
Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo, 1984
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Kagaku Gijutsuchō nenpō - 160 ページ
0 第 10 研究グループ(カルコゲンガラス: — XII13331 スによる薄膜化は準備段階を終了し,薄膜試料を用レ、た赤外分光の研究では若干の成果を得た。 2 合成時に使用するシリカガラス容'おとカルコゲン化物融液とが] ^ ;することを見出し,赤外光伝送路の利用; ...
Japan. Kagaku Gijutsuchō, 1973
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図解入門よくわかる最新元素の基本と仕組み: 全113元素を完全網羅、徹底解説
0 カルコゲンカルコゲンとは 16 族に属する元素の総称であり、酸素、硫黄、セレン、テルル、ポロニウムがこれに分類されます。とはいえ、酸素は気体で性質が異なり、ポロニウムは放射性元素なので、実際この分類のなかで類似しているのは硫黄、セレン、 ...
4
Rikagaku Kenkyjujo kenkyju nempjo - 114 ページ
カルコゲン,クロマイトに閲する研究代表研究者関沢尚(磁せ研)研究担当者:岡本祥一,岡田卓也(磁性研) (丄)カルコゲン.クロマイト単結晶の製作およびその周辺の新強磁性化合物合成の研究 01 'を主成分とするカルコゲン化物は磁気的ならびに電気的に未知の ...
Rikagaku Kenkyūjo (Japan), 1963
5
Denki Tsūshin Kenkyūjo Kenkyū Jitsuyōka Hōkoku [Electrical ...
また,カルコゲン化物ガラス半導体の光透過特性の研究によって,カルコゲン化物ガラスには,ウルパッハテールの下に波長の増大に伴い指数関数的に減少する吸収の裾引きお^ 13501 - 1511011 丁 3 ; 1 ,以下 XV 八丁)があることが見い出されている" " . IV 八丁 ...
Nihon Denshin Denwa Kōsha. Musashino Denki Tsūshin Kenkyūjo, 1983
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元素と周期表が7時間でわかる本: エッセンスだけを効率的に学びたい!
カルコゲン第16族の元素で酸素族元素ともいいますが、酸素(O)だけがやや異なる性質をもちます。鉱石の主成分となる元素がふくまれるので、カルコゲンには「石をつくるもの」という意味があります。ハロゲン第17族の元素を指します。同じ族でも、常温で気体・ ...
一般にカルコゲンは非金厲共有性元素であり,多くのカルコゲン化物 4 0^18 !^^"!^)を形づくる.カルコゲン化物ガラス 0 * 181008 * 0 はき 8 ^お] 81 化物ガラスに対して,酸素とおなじ\ 1 族のカルコゲン元素である 5 , 56|丁ぞの化合物からなるガラスをいう.酸化物 ...
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Intermediate Technical Japanese, Volume 2: Glossary - 242 ページ
さ 0 ^ 131 カルコゲナイド系カルコゲナイドケィ 0(13100^6111(12 5 ゲ 5 お III カルコゲン原子カルコゲンゲンシ 0113100^611^0111 非結合軌道ヒケッゴゥキドウ。。! ! &01 ^ 11 さ 0 ^ 101 欠如ケッジョ 3556006113 は,お 6 。 160 ひすそ 1001/15336《。
図 11.1 に示す標準的作製プロセスは、大部分がシリカガラス MOF に関するものである。酸化テルルガラスやカルコゲンガラスのような非シリカガラスでは、押出し成形のような他の作製プロセスが用いられる( Monro2006 )、後者の方法では、所望の内部構造 ...
Jean-Michel Lourtioz, Jean-Michel Gerard, Henri Benisty, 2012
16族(O、S、Se、Te、Po)は、O、Sは非金属、S、Se、Teはカルコゲン(chalcogen)と呼ばれます。 17族(F、Cl、Br、I、At)はハロゲン元素と呼ばれ、単体は2原子分子で反応性が高い、水素と反応してハロゲン化水素を生成します。外部遷移元素はdブロック元素 ...
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注目の半導体複合構造の電気的性質を解明~3原子厚の半導体ヘテロ …
ごく最近になり、新しい機能性半導体材料として、モリブデン(Mo)やタングステン(W)などの遷移金属原子と、硫黄などのカルコゲン原子からなる遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC注3)という層状物質が大きな注目を集めています。この物質は、厚みが3原子分 ... «共同通信PRワイヤー, 10월 15»
相変化光メモリーの動作を超高速化するメカニズムを解明
DVD-RAMなどに代表される光記録や近年実用化が進む不揮発性固体メモリーの一つである相変化メモリー(Phase Change Random Access Memory: PCRAM)で使用されている記録膜材料は、Teを主成分とするカルコゲン化合物と呼ばれる半導体で、相 ... «産業技術総合研究所, 9월 15»
グラフェン超えの2次元電子機能を結晶で実現
... さを持つシート状物質が持つ2次元電子機能の研究が盛んに行われている。2次元電子機能を発揮できる物質としては、グラフェン以外にも遷移金属ジカルコゲナイドと総称されるMX2の組成(M=遷移金属、X=カルコゲン)を持つ層状物質が注目されている。 «EE Times Japan, 9월 15»
単層二硫化タングステンにおける励起子過程
極薄電子デバイスの構成要素として大いに注目を集めているのは、二硫化モリブデンや二硫化タングステンなどの、極めて用途が広いと考えられる遷移金属二カルコゲン化物である。こうした材料の異常に強い光–物質相互作用の物理的起源はまだ明らかになっ ... «Nature Asia, 9월 14»