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オーミック‐せっしょく oraz krótkie ich fragmenty w celu przedstawienia kontekstu użycia w literaturze.
ソースおよびドレイン電極は、接触抵抗を低減するために高濃度の不純物を注入した半導体領域に金・ゲルマニウム( AuGe )合金を接触させたオーミック電極が作製されます。図 2 - 10 ガリウムヒ素 MESFET の構造*帝。『帝。ドレインゲトはジョットキ電極占白古 ...
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大阪工業技術試験所七十年史: 最近 10年間のあゆみ : 創立 70周年記念出版
山村,河合は,シリコン電極にポリマ一を用いて光電池を構築することを試みた16 \ II 型又は口型シリコン電極は,酸化スズ又は酸化ィンジウム電極と接触させるとオ一ミック接触を示したが,ポリマーを使って接着させるとオーミック接触からずれ,光起電力効果が現れ ...
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Denki Tsūshin Kenkyūjo Kenkyū Jitsuyōka Hōkoku [Electrical ...
24 No.3、263〜265 1981-5 半絶縁性 InP 上に形成したシリコン注入層へのオーミックコンタクトを、分布定数回路モデルに基づいて分析した。 Au / Ni / Au GeNi / InP 系は、良好なオーム性様相を示し、電極長 120am 以上で接触抵抗が極小値 1 ~ 2 × 10 ...
Nihon Denshin Denwa Kōsha. Musashino Denki Tsūshin Kenkyūjo, 1981
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白色LED照明システム技術と応用 - 120 ページ
んの金属と電子親和力(616 は1- 00 3が1がひ)お(仕事関数あ)の半導体(^03^)を接触させると,半導体表面付近のキャリャは半導体層から金厲 ... オーミック電極作製技術の基本は,電極材料の蒸着と高温でのアニールである^61)05 ポ 011 3113 300631102)。
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Proceedings of the Faculty of Engineering of Tokai ...
... 0^ 5011(1-51316 は,ダイヤモンドの合成が可能な高融点金厲であり,この金厲上にダイヤモンドが堆積し,かつ,その電気的接触が非オーム性であることが望ましい. ... 10 とダイヤモンドとの^一電流特性を観測したところオーミック特性は観測されなかった.
Tōkai Daigaku. Kōgakubu, 1997
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日本大百科全書 - 第 17 巻 - 248 ページ
図でほ p 形半導体の両端に二つのオーム接触の電崔ソース、ドレインを設ける。ソース、ドレイン間に煙圧爪を印加すると、 ... ドレインにはそれぞれ金属を蒸着しオーミック接触がなされ、またリード線が取り出される。ゲート田圧咋が零のときは、ソース、ドレイン間 ...
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教えて？わかった！ ディジタル電子回路 - 5 ページ
(4)ショットキーバリヤフダイオード金属面に n 形半導体面を接触させた半導体機能素子である. 1 ・ 5 にショット ... 一方,右側接触部では電子密度が高いため金属面とは抵抗接触(オーミックコンタクトという)のみで整流作用は生じないことに注意しよう.ダイオードの ...
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実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 13 ページ
幅が非常に狭くなるため、たとえ、ショットキー接合が生じるような条件でも、キャリアのトンネル現象が起こり、キャリアの接合部での移動がスムーズになり、オーミック接合と同じような結果が得られるわけです。更に詳しくは次節のトンネルダイオードで述べます。
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図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:
N はロプ\汗什池電騙汁棚の細^ 贋率陽電池も有機薄膜有機薄膜太陽. *ショットキー接合金属電極の仕事関数が小さいと半導体とオーミック接合ではなく、整流性のある接合になること。この接合を利用する。ー*仕ー関数金属電極のフェルミレベルと考えてよい。
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Denki Tsūshin Gakkai zasshi - 第 49 巻 - 258 ページ
... Sn によりオーミック接触を形成した陵・へき開により一辺 1 的ダの正三角形に ...
Denki Tsūshin Gakkai, 1966
