Significado de "ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター" no dicionário japonês

PRONÚNCIA DE ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター EM JAPONÊS

			げーと			ばい	ぽーらー	とらんじすたー
ぜ	つえ	ん	ゲート	がた	‐	バイ	ポーラー	トランジスター
ze	tue	n	ge-to	gata		bai	po-ra-	toranzisuta-

O QUE SIGNIFICA ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター EM JAPONÊS

definição de ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター no dicionário japonês

Temperature Gate Wrap Transistor Bipolar 【Inspeção Gate Transistor Bipolar】 IGBT (IGBT)

ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター【絶縁ゲート型バイポーラートランジスター】 アイ‐ジー‐ビー‐ティー（IGBT）

TRADUÇÃO DE ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター

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As traduções de ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター a outras línguas apresentadas nesta seção foram obtidas através da tradução automática estatística; onde a unidade essencial da tradução é a palavra «ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター» em japonês.

• Tradutor português - chinês: 绝缘栅双极晶体管间隙
• Tradutor português - espanhol: Puerta aislada transistor bipolar contragolpe
• Tradutor português - inglês: Insulated gate bipolar transistor backlash
• Tradutor português - hindi: अछूता गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर प्रतिक्रिया
• Tradutor português - arabe: بوابة معزول الترانزستور ثنائي القطب رد فعل عنيف
• Tradutor português - russo: Изолированным затвором биполярного транзистора зазор
• Tradutor português - português: Porta isolada bipolar transistor folga
• Tradutor português - bengali: ভালভাবে উত্তাপ গেট দ্বিমেরু ট্রানজিস্টার তোমরা
• Tradutor português - francês: Grille isolée transistor bipolaire jeu
• Tradutor português - malaio: pintu terlindung transistor bipolar kamu
• Tradutor português - alemão: Bipolartransistor mit isoliertem Gate spiel
• japonês: ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター
• Tradutor português - coreano: 절연 게이트 너희 바이폴라 트랜지스터
• Tradutor português - javanês: gapura terisolasi bipolar transistor ye
• Tradutor português - vietnamita: Cổng cách điện transistor lưỡng cực phản ứng dữ dội
• Tradutor português - tâmil: மின்காப்புக் வாயில் இருமுனை டிரான்சிஸ்டர் நீங்கள்
• Tradutor português - marata: उष्णतारोधक गेट बायपोलर ट्रान्झिस्टर तुम्ही
• Tradutor português - turco: Yalıtımlı geçit iki kutuplu transistörü ye
• Tradutor português - italiano: Insulated Gate Bipolar Transistor contraccolpo
• Tradutor português - polonês: Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką luz
• Tradutor português - ucraniano: Ізольованим затвором біполярного транзистора зазор
• Tradutor português - romeno: Poarta izolată tranzistor bipolar reacție
• Tradutor português - grego: Μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ αντιδράσεις
• Tradutor português - africâner: Geïsoleerde hek bipolêre transistor teenreaksie
• Tradutor português - sueco: Isolerat styre bipolär transistor dödgång
• Tradutor português - norueguês: Isolert gate bipolar transistor backlash

10 LIVROS EM JAPONÊS RELACIONADOS COM «ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター»

Descubra o uso de ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター na seguinte seleção bibliográfica. Livros relacionados com ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター e pequenos extratos deles para contextualizar o seu uso na literatura.

Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...

バイポーラートランジスターのコレクタ一電流がベース領域を通り抜けてきた少数キヤリヤーであるのに対して,電界効果トランジスターのドレイン電流はチャネル ... 22-3: 1 ^ 105 電界効果卜ランジスター(物理 2119 〉絶縁ゲート電界効果トランジスタ一の一種で, !

James L. Davis, 2002

パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際: MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は、MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのよ ...

五十嵐征輝, 2011

高度情報化社会を読む - 83 ページ

は、ゲートが絶緣されたバイポーラトランジスタである。ゲートが絶縁されているのでパワー! ^ 05 ? 27 0^61;31 0X1(16 ^ ! ! ! !〜! ^ひは。! " 2 は丁! " 308 おね! " )の高速スィッチング特性をもち、エミッタコレクタがバイポーラ構造であるためバイポーラトランジスタ ...

伊藤利朗, ‎市川照久, ‎尾形仁士, 1996

現代商品大辞典 - 333 ページ

電界効果トランジス夕は電子または正孔の,どちらか一方のキヤリアで勦作するので,バイポーラ形トランジスタに対してュニポ―ラ形トランジスタ 0 " ; ? 0121 0 りとも呼ばれる.構造により,接合ゲート形? 6 丁 0 リ II ひ; 00 ^^"^(:" 1110515100 と絶縁ゲ—ト开さ?

Yoshirō Iijima, ‎Takashi Mukaibō, 1986

Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo kenkyū hōkoku

測される/ひには,ゲート電極から注入された正孔電流成分の一部に含まれてしまい,また/,幼にはゲート電極から注入された正孔電流の一部しか含まれない結果となる。したがって ... 誘起接合法による測定時には,絶縁膜をヱミッタ、反転層をベース,基板をコレクタとしたバイポーラトランジスタと見倣すことができる。したがって ... 6 丁が設けられた場合には,同一デパイスによって,両ゲート極性でのキヤリァ分離測定が可能となる。この方法は ...

Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo, 1984

いまからはじめる電子工作 - 33 ページ

... 樺(プラス極)を当てて、ゲート 6 に手を触れると針が振れていくのが正常です o 皿○ 8 ―宜耳丁ではゲート 6 が酸化膜○によつて絶縁されている ... ゲート 6 に手を触れて数ヒ 9 まで変化すれば正常です o (3)最大定格トランジスタにはさまざまな最大定格がありますが、設計上どうしても必要 ... パイポーラトランジスタに対して、ドレイン一ソ一ス問電圧除軍がコレクターエミ、ンタ間電圧恥切に、ドレイン電流ノぱ:灯魔〆がコレクタ電流徳 ...

町田秀和, 2006

電験三種合格一直線　理論: - 153 ページ

... F=eE=m・dp/dt IN]静電エネルギー: eW [ J ]・磁界中円運動(方向変更のみ) F=eoB=mp"/r IN] ( r は回転半径)口バイポーラトランジスタ(npn, ... 個/ m "・金属での移動速度 p=uEIm/sl u は移動度電流密度 J = nep = neuE = oELA / m "・エネルギー帯半:半導体、絶:絶縁体[伝導]金属は[充]と ... ゲート電圧バイポーラの回路 IE=la +lc ・ベース接地 o=AIc/AIE=0.95〜0.995 ・エミツタ接地 B=4Ic/Alg=o /(1-o)口各種の効果・熱電効果 ...

菅原　秀雄, 2011

共立総合コンピュータ辞典〔第4版〕 - 538 ページ

日本ユニシス, 1994

最新半導体のしくみ:

本書では、半導体の動作原理から、半導体の基本形であるダイオードとトランジスタ、すでに第一線で活躍している半導体デバイスなどを、精度の高い図版やイラストで解説しま ...

西久保靖彦, 2010

タウア・ニン最新VLSIの基礎

半導体分野の権威による著書の最新翻訳版

Yuan Taur, ‎Tak H. Ning, 2002