Significado de "ていこうへんか‐メモリー" no dicionário japonês

PRONÚNCIA DE ていこうへんか‐メモリー EM JAPONÊS

					めもりー
てい	こう	へん	か	‐	メモリー
tei	kou	hen	ka		memori-

O QUE SIGNIFICA ていこうへんか‐メモリー EM JAPONÊS

definição de ていこうへんか‐メモリー no dicionário japonês

Memória 【memória de mudança de resistência】 "RAM de resistência" Um tipo de memória não volátil que armazena informações, utilizando o efeito de que a resistência elétrica muda grandemente quando a tensão é aplicada. Possui vantagens de baixo consumo de energia e pouco tempo para ler dados. ReRAM. RRAM.

ていこうへんか‐メモリー【抵抗変化メモリー】 《resistance RAM》電圧を印加したときに電気抵抗が大きく変化する効果を利用して情報を記憶する不揮発性メモリーの一種。消費電力が小さく、データを読み出す時間が短いという長所がある。ReRAM。RRAM。

TRADUÇÃO DE ていこうへんか‐メモリー

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As traduções de ていこうへんか‐メモリー a outras línguas apresentadas nesta seção foram obtidas através da tradução automática estatística; onde a unidade essencial da tradução é a palavra «ていこうへんか‐メモリー» em japonês.

• Tradutor português - chinês: 我们已经走会改变内存
• Tradutor português - espanhol: Que vayamos cambiará memoria
• Tradutor português - inglês: Have us go will change memory
• Tradutor português - hindi: हमें स्मृति बदल जाएगा जाना है
• Tradutor português - arabe: وقد نذهب سيغير الذاكرة
• Tradutor português - russo: У нас идут изменится память
• Tradutor português - português: Nós já ir mudará memória
• Tradutor português - bengali: স্মৃতিতে পরিবর্তন করা যাক
• Tradutor português - francês: Avons- nous aller va changer la mémoire
• Tradutor português - malaio: Mari kita menukar memori
• Tradutor português - alemão: Haben uns gehen Speicher ändern
• japonês: ていこうへんか‐メモリー
• Tradutor português - coreano: 가자 변화 메모리
• Tradutor português - javanês: Ayo kang ngganti memori
• Tradutor português - vietnamita: Chúng tôi đã đi sẽ thay đổi bộ nhớ
• Tradutor português - tâmil: நினைவகத்தில் அடியோடு மாற்றட்டும்
• Tradutor português - marata: स्मृती बदलू द्या
• Tradutor português - turco: belleğini değiştirelim
• Tradutor português - italiano: Che andiamo cambierà memoria
• Tradutor português - polonês: Czy nam iść zmieni pamięć
• Tradutor português - ucraniano: У нас йдуть зміниться пам´ять
• Tradutor português - romeno: Au mergem va schimba de memorie
• Tradutor português - grego: Μας έχουν πάει θα αλλάξει μνήμη
• Tradutor português - africâner: Het ons gaan sal geheue verander
• Tradutor português - sueco: Har oss gå kommer att ändra minne
• Tradutor português - norueguês: Har oss gå vil endre minnet

10 LIVROS EM JAPONÊS RELACIONADOS COM «ていこうへんか‐メモリー»

Descubra o uso de ていこうへんか‐メモリー na seguinte seleção bibliográfica. Livros relacionados com ていこうへんか‐メモリー e pequenos extratos deles para contextualizar o seu uso na literatura.

これで半導体のすべてがわかる!: - 89 ページ

などの量産化が進むデイスク製造ェ程での相変化膜の研究進展が後押しをしています。? 6 ム^メモリセルは、相変化膜、抵抗素子とセル選択のトランジスタから成ります。構造は、シリコン基板上にトランジスタを形成し、その上に抵抗素子と相変化膜を形成する ...

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文系でもわかる電気回路 - 159 ページ

このように、ゼロを基準にして針がどのぐらい振れて変化するかをメモリで読む測定方法を偏位法(へんいほう)といいます。 ... 図 5.11 で可変抵抗 RY 〔Ω〕を変化させて、検流計の針がゼロになるとき、未知抵抗 6 RX 〔Ω〕を、 RZ―― RW RX = RY と求めること ...

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集積回路の種類 CPU:中央処理装置 RAM :読み書きできるメモリ ROM :読み出しメモリ LED :発光ダイオード CCD:電荷結合素子= * *一その他の素子サーミスタ:温度で抵抗値変化バレッタ:温度で抵抗値増加バリスタ:日叩加電圧で抵抗値変化 CdS :光量で ...

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情報処理教科書 出るピタ 基本情報技術者問題集 2013～2014年版

ウ命令のデコードを行うために,メモリから読み出した命令を保持する。エ命令を読み出すために,次の命令が格納された ... ウ抵抗膜に電圧を加え,タッチした部分の抵抗値の変化を捉えて位置を検出する。エマトリックス状に電極スイッチが並んでおり,押された ...

日高哲郎, 2013

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 75 ページ

磁気トンネル効果を利用した^尺八^や相変化を利用した? ... これらの名称ですが、本により色々な名称が与えられています。 ... 相では高抵抗に、結晶相では低抵抗になるような材料を用い、このふたっの状態を制御して 0 と 1 のメモリ状態を作るものです。

佐藤淳一, 2011

これだけ!電気回路 - 120 ページ

二次電池は抵抗が大きいため、電流が流れず充電効率が悪い。少しでも日が陰り、太陽電池の電圧が下がると、電池の電圧の方が高くなってほとんど充電しなくなります。天候の変化によって発電量も変化する上、メモリー効果で二次電池の充電容量が減り、 ...

常深信彦, 2015

基本情報技術者スーパー合格本: 共通キャリア・スキルフレームワークレベル2 2012年版

キャッシュメモリ主記憶有無アクセス時間ヒツト率アクセス時間' (ナノ秒) (%) (ナノ秒) A なし一一ー 5 B なし一一 30 C あり 20 60 70 D ありー 0 90 80 ァ A ' B ' c , D イ A , D , B ... ウ抵抗膜に電圧を加え,タッチした部分の抵抗値の変化を捉えて位置を検出する。

三輪幸市, 2011

よくわかる最新電子デバイスの基本と仕組み: 組み込みシステムにおけるCPUと基本デバイス : 組み込みハードウェアの常識

メモリ素子はカルコゲニド化合物と抵抗素子で構成されます。アモルフアス状態と結晶状態の切り替えは印加電圧を加えることで行われます。アモルフアス状態から結晶状態に変化させるためには、一定時間この印加電圧を加えます。これによりカルコゲニド ...

藤広哲也, 2006

図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:

また、 P 円 AM は相変化メモリともいわれており、 P は PhaSe (木目)の略です。例えばカルコゲナイド合金のようにアモルフアス相では高抵抗になり、結晶相では低抵抗になるような材料を用い、このふたつの状態を制御して。とーの双安定なメモリ状態を作る ...

佐藤淳一, 2012

基本情報技術者スーパー合格本過去問題集: - 254 ページ

アイウェ紫外線照射で内容を消去することによって,メモリ部品を再利用することができる。出荷後のブログラムの ... 適切なものはどれか。アタッチすることによって~赤外線ビームが遮られて起こる赤外線反射の変化を捉えて位置を検出する。イタッチパネルの表面に電界が形成され)タッチした部分の表面電荷の変化を捉えて位置を検出する。ウ抵抗 ...

三輪幸市, 2012