O QUE SIGNIFICA ワイヤ‐ボンディング EM JAPONÊS
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definição de ワイヤ‐ボンディング no dicionário japonês
Ligação de fio [ligação de arame] Conecte eletrodos e outros de circuitos integrados à placa de circuito com fios de metal finos e conserte-os. ワイヤ‐ボンディング【wire bonding】 集積回路の電極などを、回路基板に微細な金属線で接続して固定すること。
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10 LIVROS EM JAPONÊS RELACIONADOS COM «ワイヤ‐ボンディング»
Descubra o uso de
ワイヤ‐ボンディング na seguinte seleção bibliográfica. Livros relacionados com
ワイヤ‐ボンディング e pequenos extratos deles para contextualizar o seu uso na literatura.
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図解入門よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み: - 172 ページ
この端子とチップ上のし 31 の端子をワイヤでつなぐのがワイヤボンディングです。このワイヤは金線で形成され電気を通します。 0 リードフレームとの接続金仏リ)を用いるのは、配線として金は安定で信頼性が高いからです。チップ上の端子をボンデイングパッド ...
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よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み: プロセスの全体を俯瞰する : あなたの知らない半導体の秘密がわかる
もちろん、 LS ーの生産量が多い後工程フアフ`ほど、このワイャボンダーも多いということになります。ワイヤボンディングされたチップとリードフレームの図(図表 9 - 5 -ー)金ワイヤリード部金ワイヤボンディングバッド部ボンディング基板ワイヤボンディングのフロー ...
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メイド・イン・ジャパンの逆襲: 注目技術の核心
ワイヤボンディングされたチップとリードフレームの図(図表 6 - 4 -ー) (a)俯瞰図(b)断面図 Au ワイヤチップリード部 Au ワイヤボンディングパッド部ワイヤボンディングのメカニズム図表 6 ・ 4 ・ 2 にワイャボンディングのメカニズムを示します。キャピラリと呼ばれる ...
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図解入門よくわかる最新電子材料の基本と仕組み: - 69 ページ
リードフレームとボンディングワイヤ材料は共に 210 んと高いシェアになっています。リードフレームにはスタンビングとエッチングと 2 タイプあり、エッチングは多ピンタイプに多いですが、スタンビングが価格的には安ぐ多ピンにも対応してます。ワイヤーボンディング ...
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図解入門業界研究最新半導体業界の動向とカラクリがよーくわかる本:
ワイヤボンディング一れたチップ(ダイ)を、リ—ドフレームのマウン卜アイランドに貼り付ける工程をマゥン卜もしくはダイボン一アイングといいますその後、チップ周辺部のボンディングパッドとリ—線をつなぎ、電気的なやり取りを行えるように工程ですこの接続に細い ...
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日本金属学会誌 - 第 66 巻、第 7～12 号 - 754 ページ
蘇曰し 51 など半導体素子の内部電極端子と外部電極端子を接合する方法では,高純度の八 11 極細線を用いるワイヤボンディング法が主流である.その材料としては直径 18 〜 40 | ^ 111 の八 11 ワイヤが最も普及しており,八 5 丁! VI (八 11161 ^ 31150016 ...
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Kōjō jidōka jiten - 578 ページ
組立工程ではワイヤボンディングの生産性向上対策が一段と進み,製造ラインの省人化が加速されている。ワイヤボンディング装置の歴史的変遷(表 14.1 〉と生産性の変化(図 14.3 〉で示すように,この分野の自動化表" . 1 50」生 1:性 20^マルチ 3 !自動機手動式 ...
8
図解入門現場で役立つ金属材料の基本と仕組み - 170 ページ
さらに、マイクロエレクトロニクス分野においてはAu細線がICやLSIなどの半導体デバイスの電極と外部引き出し用リードとの接続、いわゆるワイヤボンディング(wire bonding)に必要不可欠です。 Au細線は、純度99.99%の丸棒状の金インゴットを鏡面に磨いた ...
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溶接 II: 専攻学科特殊溶接法 - 26 ページ
加熱用パーナガス炎(酸素^アセチレン)図 1 一 38 ガス圧接法ワイヤボンディング#がある。さらに,超音波振動を加圧と同一方向に加えて各種のプラスチックを接合するような場合にも多く用いられるようになっている。〈 3 )ガス圧接法ガス圧接は,酸素'アセチレン( ...
組立工程は,すでにチップボンディング,ワイヤボンディング,モールド切断,検査を一連のシステムとして連続的,自動的に組立を行うレベルに達している。自動粗立技術は,生産の合理化,製造品質の向上にとどまらず,パッケージのビン数の増加,ビン間隔の縮小化に ...
電子産業中期展望懇談会 (Japan). 電子技術予測分科会, 1989
7 NOTÍCIAS NAS QUAIS SE INCLUI O TERMO «ワイヤ‐ボンディング»
Conheça de que se fala nos meios de comunicação nacionais e internacionais e como se utiliza o termo
ワイヤ‐ボンディング no contexto das seguintes notícias.
パッケージエアコンや産業用モーターのインバーターのさらなる小型化 …
インバーターシステムに必要な4回路を1パッケージに内蔵・インバーター回路と駆動回路を内蔵した当社製品「DIPIPM※2 」に,新たにコンバーター回路とブレーキ回路を加えて,1パッケージに内蔵・当社独自のダイレクトワイヤボンディング技術※3 により小型 ... «エリスネット, mai 15»
新しい産業用イーサネットエクステンダーがMTMや（産業用）モノの …
米メリーランド州ゲイザースバーグ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- パットン・エレクトロニクスは本日、米国製で産業用に設計された軽量のワイヤボンディング・イーサネットエクステンダーCopperLink™ CL2300Eの事前注文を間もなく開始すると発表 ... «Business Wire, mar 15»
Samsung、TSV技術を用いて3次元実装した初のDDR4
... で製造された4Gbitダイを4枚積層したチップを、モジュール上に36枚搭載する。 同社の検証では、従来のワイヤボンディングを用いた64GBモジュールに比べ、TSV技術を用いた64GBモジュールは、2倍高速で、約半分の消費電力に収まっているという。 «PC Watch, ago 14»
【イベントレポート】1Tbpsの超高速転送を実現する8Gbit HBM DRAM …
ワイヤボンディング技術の弱点は、金属ワイヤによる寄生インダクタンスと寄生抵抗が伝送信号の高速化を阻害することである。大容量化には適しているが、動作速度はどちらかと言えば低下させる方向に働く。金属ワイヤが比較的長い(数mm程度)ことも問題で、 ... «PC Watch, jun 14»
ワイヤボンディングの接続強度を測定、SiC/GaN半導体デバイスにも対応
OKIエンジニアリングは、次世代パワー半導体やタブレット端末向け高密度半導体製品などの組み立てに用いたワイヤボンディングの接続強度を測定できる「多機能ボンドテスタ」を新たに導入した。この装置を加えることでSiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム） ... «EE Times Japan, mar 14»
シリコンパワーMOSFETの性能改善、素子構造よりもパッケージが効く …
ワイヤボンディングは比較的細くて損傷を受けやすいため、大電流を流しにくい。そのため、大電力を扱う高性能デバイスではワイヤボンディングに代わってクリップが標準的に使われるようになりつつある。クリップを使うと、オン抵抗を低減できる上に、スイッチング ... «EDN Japan, abr 12»
エルピーダ、TSVで4枚積層した1GB DDR3 SDRAM
ワイヤボンディングで接続する手法と比較して配線距離を大幅に短縮できるため、高速化/省電力化/小型化などの面で有利という。 エルピーダは、2004年にNEDO(独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構)の助成によりTSVの開発を開始し、2009年 ... «PC Watch, jun 11»
