Înțelesul "ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター" în dicționarul Japoneză

PRONUNȚIA ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター ÎN JAPONEZĂ

			げーと			ばい	ぽーらー	とらんじすたー
ぜ	つえ	ん	ゲート	がた	‐	バイ	ポーラー	トランジスター
ze	tue	n	ge-to	gata		bai	po-ra-	toranzisuta-

CE ÎNSEAMNĂ ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター ÎN JAPONEZĂ?

Definiția ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター în dicționarul Japoneză

Temperatura Gate Wrap Tranzistor bipolar 【IGBT tranzistor bipolar izolat Gate IGBT (IGBT)

ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター【絶縁ゲート型バイポーラートランジスター】 アイ‐ジー‐ビー‐ティー（IGBT）

TRADUCEREA ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター

Găsește traducerea ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター în 25 de limbi cu traducătorul nostru multilingv înJaponeză.

Traducerile ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター din Japoneză în alte limbi prezentate în prezenta secțiune au fost obținute prin traducerea statistică automată; unde unitatea esențială a traducerii este cuvântul «ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター» în Japoneză.

• Traducător din Japoneză - Chineză: 绝缘栅双极晶体管间隙
• Traducător din Japoneză - Spaniolă: Puerta aislada transistor bipolar contragolpe
• Traducător din Japoneză - Engleză: Insulated gate bipolar transistor backlash
• Traducător din Japoneză - Hindi: अछूता गेट द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर प्रतिक्रिया
• Traducător din Japoneză - Arabă: بوابة معزول الترانزستور ثنائي القطب رد فعل عنيف
• Traducător din Japoneză - Rusă: Изолированным затвором биполярного транзистора зазор
• Traducător din Japoneză - Portugheză: Porta isolada bipolar transistor folga
• Traducător din Japoneză - Bengali: ভালভাবে উত্তাপ গেট দ্বিমেরু ট্রানজিস্টার তোমরা
• Traducător din Japoneză - Franceză: Grille isolée transistor bipolaire jeu
• Traducător din Japoneză - Malaeză: pintu terlindung transistor bipolar kamu
• Traducător din Japoneză - Germană: Bipolartransistor mit isoliertem Gate spiel
• Japoneză: ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター
• Traducător din Japoneză - Coreeană: 절연 게이트 너희 바이폴라 트랜지스터
• Traducător din Japoneză - Javaneză: gapura terisolasi bipolar transistor ye
• Traducător din Japoneză - Vietnameză: Cổng cách điện transistor lưỡng cực phản ứng dữ dội
• Traducător din Japoneză - Tamilă: மின்காப்புக் வாயில் இருமுனை டிரான்சிஸ்டர் நீங்கள்
• Traducător din Japoneză - Marathi: उष्णतारोधक गेट बायपोलर ट्रान्झिस्टर तुम्ही
• Traducător din Japoneză - Turcă: Yalıtımlı geçit iki kutuplu transistörü ye
• Traducător din Japoneză - Italiană: Insulated Gate Bipolar Transistor contraccolpo
• Traducător din Japoneză - Poloneză: Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką luz
• Traducător din Japoneză - Ucraineană: Ізольованим затвором біполярного транзистора зазор
• Traducător din Japoneză - Română: Poarta izolată tranzistor bipolar reacție
• Traducător din Japoneză - Greacă: Μονωμένη πύλη διπολικών τρανζίστορ αντιδράσεις
• Traducător din Japoneză - Afrikaans: Geïsoleerde hek bipolêre transistor teenreaksie
• Traducător din Japoneză - Suedeză: Isolerat styre bipolär transistor dödgång
• Traducător din Japoneză - Norvegiană: Isolert gate bipolar transistor backlash

CĂRȚI ÎN JAPONEZĂ ÎN LEGĂTURĂ CU «ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター»

Descoperă întrebuințarea ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター în următoarea selecție bibliografică. Cărți în legătură cu ぜつえんゲートがた‐バイポーラートランジスター și extrase din aceasta pentru a furniza contextul de întrebuințare al acestuia în literatura Japoneză.

Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...

バイポーラートランジスターのコレクタ一電流がベース領域を通り抜けてきた少数キヤリヤーであるのに対して,電界効果トランジスターのドレイン電流はチャネル ... 22-3: 1 ^ 105 電界効果卜ランジスター(物理 2119 〉絶縁ゲート電界効果トランジスタ一の一種で, !

James L. Davis, 2002

パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際: MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子

IGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)は、MOS FETとバイポーラ・トランジスタの長所を活かしたパワー・デバイスです。パワー・デバイスとは、電源やモータ制御などのよ ...

五十嵐征輝, 2011

高度情報化社会を読む - 83 ページ

は、ゲートが絶緣されたバイポーラトランジスタである。ゲートが絶縁されているのでパワー! ^ 05 ? 27 0^61;31 0X1(16 ^ ! ! ! !〜! ^ひは。! " 2 は丁! " 308 おね! " )の高速スィッチング特性をもち、エミッタコレクタがバイポーラ構造であるためバイポーラトランジスタ ...

伊藤利朗, ‎市川照久, ‎尾形仁士, 1996

現代商品大辞典 - 333 ページ

電界効果トランジス夕は電子または正孔の,どちらか一方のキヤリアで勦作するので,バイポーラ形トランジスタに対してュニポ―ラ形トランジスタ 0 " ; ? 0121 0 りとも呼ばれる.構造により,接合ゲート形? 6 丁 0 リ II ひ; 00 ^^"^(:" 1110515100 と絶縁ゲ—ト开さ?

Yoshirō Iijima, ‎Takashi Mukaibō, 1986

Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo kenkyū hōkoku

測される/ひには,ゲート電極から注入された正孔電流成分の一部に含まれてしまい,また/,幼にはゲート電極から注入された正孔電流の一部しか含まれない結果となる。したがって ... 誘起接合法による測定時には,絶縁膜をヱミッタ、反転層をベース,基板をコレクタとしたバイポーラトランジスタと見倣すことができる。したがって ... 6 丁が設けられた場合には,同一デパイスによって,両ゲート極性でのキヤリァ分離測定が可能となる。この方法は ...

Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo, 1984

いまからはじめる電子工作 - 33 ページ

... 樺(プラス極)を当てて、ゲート 6 に手を触れると針が振れていくのが正常です o 皿○ 8 ―宜耳丁ではゲート 6 が酸化膜○によつて絶縁されている ... ゲート 6 に手を触れて数ヒ 9 まで変化すれば正常です o (3)最大定格トランジスタにはさまざまな最大定格がありますが、設計上どうしても必要 ... パイポーラトランジスタに対して、ドレイン一ソ一ス問電圧除軍がコレクターエミ、ンタ間電圧恥切に、ドレイン電流ノぱ:灯魔〆がコレクタ電流徳 ...

町田秀和, 2006

電験三種合格一直線　理論: - 153 ページ

... F=eE=m・dp/dt IN]静電エネルギー: eW [ J ]・磁界中円運動(方向変更のみ) F=eoB=mp"/r IN] ( r は回転半径)口バイポーラトランジスタ(npn, ... 個/ m "・金属での移動速度 p=uEIm/sl u は移動度電流密度 J = nep = neuE = oELA / m "・エネルギー帯半:半導体、絶:絶縁体[伝導]金属は[充]と ... ゲート電圧バイポーラの回路 IE=la +lc ・ベース接地 o=AIc/AIE=0.95〜0.995 ・エミツタ接地 B=4Ic/Alg=o /(1-o)口各種の効果・熱電効果 ...

菅原　秀雄, 2011

共立総合コンピュータ辞典〔第4版〕 - 538 ページ

日本ユニシス, 1994

最新半導体のしくみ:

本書では、半導体の動作原理から、半導体の基本形であるダイオードとトランジスタ、すでに第一線で活躍している半導体デバイスなどを、精度の高い図版やイラストで解説しま ...

西久保靖彦, 2010

タウア・ニン最新VLSIの基礎

半導体分野の権威による著書の最新翻訳版

Yuan Taur, ‎Tak H. Ning, 2002