Значение слова "ショットキーしょうへき‐ダイオード" в словаре японский языка

ПРОИЗНОШЕНИЕ СЛОВА ショットキーしょうへき‐ダイオード

しょっときー					だいおーど
ショットキー	しょう	へ	き	‐	ダイオード
syottoki-	syou	he	ki		daio-do

ЧТО ОЗНАЧАЕТ СЛОВО ショットキーしょうへき‐ダイオード

Значение слова ショットキーしょうへき‐ダイオード в словаре японский языка

Шотки Шоттки диод 【Шотки барьерный диод】 Шотки диода

ショットキーしょうへき‐ダイオード【ショットキー障壁ダイオード】 ショットキーダイオード

ПЕРЕВОД СЛОВА ショットキーしょうへき‐ダイオード

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КНИГИ НА ЯПОНСКИЙ ЯЗЫКЕ, ИМЕЮЩЕЕ ОТНОШЕНИЕ К СЛОВУ «ショットキーしょうへき‐ダイオード»

Поиск случаев использования слова ショットキーしょうへき‐ダイオード в следующих библиографических источниках. Книги, относящиеся к слову ショットキーしょうへき‐ダイオード, и краткие выдержки из этих книг для получения представления о контексте использования этого слова в литературе на японский языке.

実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 13 ページ

ショッ卜キ一障壁(バリア)このような約束ごとを元に以下に話を進めます。ここではショットキー障壁(バリア)を学びます。表記はショットキー障壁、ショットキーバリアなどがあります力、 4 - 8 で、これを応用したダイオードを通常ショットキーバリアダイオードと呼ぶ ...

佐藤淳一, 2011

The Transactions of the Institute of Electronics and ...

叭 1.2 正子し注入とシヨツトキ一障壁ダイオードのアドミタンス新美達抱あらましシ苔ツトキ戸ダイォードに少数キャリヤの注入が生じた場合を想定して.その状態 ... 贅まえがきこの論文はショットキ一障壁をもつ半導体ダイオードあるいは空間重荷制限ダイオード.

Denshi Tsūshin Gakkai, 1970

半導体基礎用語辞典 - 58 ページ

これが逆方向バイアスの状態である.したがって,ショットキー障壁には,順方向バイアスで電流が流れやすく,逆方向バイアスで電流が流れにくいという整流性がある.この整流性を稹極的に利用したデバイスがショットキー'バリア'ダイオードである,一方,口形半導体 ...

米津宏雄, 1989

Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...

22-7:ショットキー^ダイオード(物理 961 〕ショットキー障壁を利用したダイオード.順方向の電圧降下が小さく,キヤリャ一は電子のみで,正孔による蓄積効果がなく,高周波の特性が優れているので,高速スイツチングゃマイク口波の混合回路などに使用される.

James L. Davis, 2002

半導体基礎用語辞典 - 58 ページ

ショットキー障壁の動作には少&キャリアが圉与しないために.蓄铕効果などがなし動作速度が速い.したがって,高速動作や;まい口 0 接合を作りにくいデバイスには.ショットキー障^が用いられる。最も典型的な例は,高速スイッチング用のダイオードや 0 仏 3 ?^!

Hiroo Yonezu, 1989

Abstracts of IECE Transactions - 第 53 巻、第 10 号 - 1424 ページ

(委員三田陽,紹介者牟田弘樹)〔尺- 601 〕プレーナ形ダイオードの空乏層特性の測定ひ 0 ゴ" " 5011^-5は16 21 ばれ 011105 , 12 , 7 ,卯. 539 - 547 ひ 111 ヌ 1969 ... (委員根岸哲,紹介〕〔仄- 602 〕ん 1 - 81 ショットキ一障壁ダイオードん丫ぶ. VII311 ( 10 . ^ .

Denshi Tsūshin Gakkai, 1970

Technology reports of the Kyushu University - 第 67 巻 - 204 ページ

2.2 コンタクト抵抗金厲と拡散層のコンタクト抵抗^ :は,ショットキー接合部の空乏囁をトンネル電流が流れることにより決定されるという仮定の下で次式のように変化するへ 0 ~柳【^ 16 ^ 5 ^ 1 ここで,デ 0 ダイオードを考えた. 6 。は真空の誘電率, 65 は 5 ;の比誘甩率, ^は電子または正孔の有効質 6 , ^は 5 ;と金属間の障壁高さ.ルはコン夕クト部のァクセブタ密度.もはブランクの定数である. 8 の不活性化によって实質的なルが小さくなると ...

Kyūshū Daigaku. Kōgakubu, 1994

Researches of the Electrotechnical Laboratory

ひ)図 2.1 (ヒ)に示した 1110 ( 3 出おランプ電圧印加に伴い 3 - 5 ; : 9 ショットキ一ダイオードに流れる過渡応答電流の変位電流成分には 0 , 1 秒以上の時 ... 乂測定の原理と測定結果,キンヒドロン水溶液を用いた 3 - 51 : II 液体ショットキ一接合の障壁髙,リン( ? ) ...

Denshi Gijutsu Sōgō Kenkyūjo, 1988

Denshi Yogo No Kiso Kaisetu: Maikon Jidai Ni Manabu - 119 ページ

ショットキー 551 果 501101 4 1 ? ... ショットキー^ダイオード 5 ( ^ 011 ^乂^10(16 金属と半導体を接触させると,その接触面にシ 3 ットキー障壁と呼ばれる電位障壁が形成され,これが ... この障壁の性質を利用した半導体素子をシ 3 ットキーダイオードといいます.

Toshio Kudo, 1982

Denki Tsūshin Gakkai zasshi - 第 49 巻 - 65 ページ

... ビーダンスを入カインピーダンスに比較して十分高くとることが田娃で,もし電流伝達率を大きくできても電カ利得は大きくとれないという欠点があった・そこで出カ側はシ,ソトキー障壁で置き換えるという着想、が ... これに対しェミッタもショットキー・ダイオードを使う ...

Denki Tsūshin Gakkai, 1966