じきていこう‐メモリー SÖZCÜĞÜ JAPONCA DİLİNDE NE ANLAMA GELİR?
Japonca sözlükte じきていこう‐メモリー sözcüğünün tanımı
Jijiki Hafızası [Magnetoresistive Memory] Manyetizma ile bilgileri depolayan geçici olmayan anılardan biridir. Manyetizasyon yönüne göre elektrik direncini değiştiren magnetoresistif etkisi kullanılır. MRAM (magnetoresistive RAM).
«じきていこう‐メモリー» İLE İLİŞKİLİ JAPONCA KİTAPLAR
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じきていこう‐メモリー ile ilişkili kitaplar ve Japonca edebiyattaki kullanımı ile ilgili bağlam sağlaması için küçük metinler.
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図解入門よくわかる最新電子材料の基本と仕組み: - 129 ページ
01 の半導体メモリと大きく異なる 1 ^ 10 八 I は強磁性体層を使用したメモリで磁性材料と半導体をミックスしたことが特徴です。 06 八りのキャパシタ ... 動作原理は磁気抵抗効果 155 による抵抗の差異を検出して、メモリセルとしてのデータで"と" " ! "を記録させる ...
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図解入門よくわかる最新半導体ナノプロセスの基本と仕組み:
抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたつの状態を示す現象を利用し、前述の P 円 AM とも似ています。その原理を図表 384 に示しておきます。 MRAM のメモリの原理(図表 3 - 8 - 4 )磁気抵抗( TMR )素子強磁性金属膜仲一(矢印は磁化の方向) '極薄膜絶縁膜 ...
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これで半導体のすべてがわかる!: - 86 ページ
3 崩八 1X655 リ 6 ( X1017 スピン現象磁気抵抗効果( 88 ページ参照)のひとつの現象。图鳩^1680610 「 651511 リ 6 ^611(30^1 1 奪情帮せ赛に!ま、. ^ :や木齊曩さモリがき 1 現状のメモリは、 08 八^ !、 5 [ ^八 V そしてフラッシュが全盛を迎えています。
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実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 76 ページ
どちらかをそれぞれ" 0 \ 1 "とするわけです。抵抗値が低抵抗値と高抵抗値のふたっの状態を示す状態を示す現象を利用するのは前述の? ! ^八^とも似ています。その原理を図表 8 - 29 に示しておきます。 0 众! \ ; 1 のメモリの原理(図表 8 - 29 〕磁気抵抗(丁ロ^ ! ) ...
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エレクトロニクスを中心とした年代別科学技術史 - 320 ページ
磁気 19 叩し。脚ビ(日○ 8 )と○リのィンテグレーシヨン技術の開発仰 19 鉛(米)磁気抵抗幼果を利用する不攫発メモリ(蘭蜻八川)飽 z 遭○はヌ 808 (じ 6 血 0U 欧 U10 じ咽エ 6 咽 6 :ビ二 2.7 )高最近.磁性体のトンネル接合の磁気抵抗幼果を分子の繭熱性を ...
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ヘネシー&パターソン コンピュータアーキテクチャ 定量的アプローチ 第5版
DRAM の改良とは別に、電力と密度の点で潜在的に有利なフラッシュメモリの重要性が増してきている。もちろんPMD では、フラッシュメモリ ... これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在の ...
ジョン・L・ヘネシー, デイビッド・A・パターソン,
2015
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ヘネシー＆パターソン コンピュータアーキテクチャ 定量的アプローチ 第5版
どちらのメモリも不揮発性で DRAM よりも集積度が高い。これらは新しいアイデアではなく、磁気抵抗メモリや相変化メモリは何十年も前からあった。どちらかの技術は現在のフラッシュメモリを置き換えるかもしれないが、DRAM を置き換えるのはもっと大変だ。
John L. Hennessy, David A. Patterson,
2014
デジタルデータの記憶媒体として欠かせない存在の半導体メモリーには、電源を切るとデータが失われる揮発性と、失われない ... 電圧で保存) MRAM (磁気抵抗で保存) DRAM : Dinamic Random ACCess Memory SRAM : Static Random ACCess Memory ...
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よくわかる最新電子デバイスの基本と仕組み: 組み込みシステムにおけるCPUと基本デバイス : 組み込みハードウェアの常識
00 / ^ 1 ^ 1 ^フラッシュメモリのそれぞれの利点を合わせ持つュニ 7 ( ―サルメモリが注目されています。 ... IV —ドデイスクと同様に磁気によってデータを記憶するメモリで、スピン依存電気伝導により生じる強磁性卜ンネル磁気抵抗効果(丁 I ^ 0 :丁リ门门 61 リ ...
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図解入門よくわかる最新薄膜の基本と仕組み: - 185 ページ
フラッシュメモリのましたが、これらは電子を蓄えるコンデンサを薄膜卜いはリ 3 巳メモリ)や 30 力 I ドなどが普通になり線状に拡げたものです。近頃は ... 強磁性体と緑性体の組最近では卜ンネル磁気抵抗(丁 2 闩)を利用した層構造の薄膜です。を制御した強 ...