Значення "inas" у малайська словнику

ВИМОВА INAS У МАЛАЙСЬКА

inas

ЩО INAS ОЗНАЧАЄ У МАЛАЙСЬКА?

Inas

Inas

Луак Інас, розташований між районом Куала-Піла і районом Тампін, є одним із найстаріших Луак у порівнянні з іншими Луак у вагітній землі. Під час злиття дев'яти малих штатів для формування Негері Сембілана, Луак Інас був відомий як Елай. Це пов'язано з назвою великої річки, яка охоплює цей Луак. Його населення складається з мігрантів з мінангкабау в регіоні Західної Суматри, який був досліджують землі, резидент і в шлюбі з корінними народами в цьому районі. Луак Інас очолює Датук Пенгулу Луак, який є найвищим звичайним лідером у своїй Луак. У стародавні часи називали закон, тому що його сили в Badger ж закону, але в якості винагороди у вигляді посібників, отриманих від уряду є досить низьким, так що місцеві жителі дивилися на нього не тільки як право власності на Datuk Penghulu Badger карбункула є «Datuk Йохан Пахлаван Walat Куала Dioh» як записано у пресі, яка визнана султаном Джохора в 1760 році, що до сих пір зберігаються тим чинним Датук penghulu борсук карбункул.

Luak Inas yang terletak di antara daerah Kuala Pilah dan daerah Tampin merupakan antara Luak yang tertua dibandingkan dengan lain-lain Luak di Tanah Mengandung. Semasa penggabungan sembilan negeri-negeri kecil untuk membentuk Negeri Sembilan, Luak Inas dikenali sebagai Jelai. Ianya adalah bersempena dengan nama sebatang sungai utama yang merentangi Luak ini. Penduduknya pula terdiri daripada penghijrah dari Daerah Minangkabau di Sumatera Barat yang telah meneroka tanah, bermastautin serta berkahwin dengan Orang Asal di daerah ini. Luak Inas diketuai oleh Datuk Penghulu Luak iaitu sebagai ketua adat yang tertinggi di dalam Luaknya. Pada masa dahulu disebut juga Undang kerana kekuasaannya dalam Luaknya sama seperti Undang, tetapi kerana ganjaran berupa elaun yang diterima dari kerajaan agak rendah, maka masyarakat setempat memandang beliau tidak sama seperti Undang Gelaran bagi Datuk Penghulu Luak Inas ialah 'Datuk Johan Pahlawan Walat Kuala Dioh' seperti terakam dalam cop mohor yang diakui oleh Sultan Johor pada tahun 1760 yang masih tersimpan oleh sesiapa penyandang Datuk penghulu Luak Inas.

Визначення inas у малайська словнику

inas I; легені ~ sj валун в шию. в середині середньої частини діапазону.

inas I; pekung ~ sj bisul pd tengkuk.
inas II Kl bahagian tengah drpd kisaran.

ПЕРЕКЛАД INAS

Дізнайтесь, як перекласти inas на 25 мов за допомогою нашого малайська багатомовного перекладача.

Переклад слова inas з малайська на інші мови, представлений в цьому розділі, було зроблено шляхом автоматичного статистичного перекладу; де основною одиницею перекладу є слово «inas» в малайська.

• Перекладач з малайська на китайська: 痈
• Перекладач з малайська на іспанська: carbunco
• Перекладач з малайська на англійська: carbuncle
• Перекладач з малайська на гінді: मसा
• Перекладач з малайська на арабська: جمرة
• Перекладач з малайська на російська: карбункул
• Перекладач з малайська на португальська: carbúnculo
• Перекладач з малайська на бенгальська: পদ্মরাগমণি
• Перекладач з малайська на французька: escarboucle
• малайська: inas
• Перекладач з малайська на німецька: Karbunkel
• Перекладач з малайська на японська: カーバンクル
• Перекладач з малайська на корейська: 옹
• Перекладач з малайська на яванська: carbuncle
• Перекладач з малайська на в’єтнамська: hồng ngọc
• Перекладач з малайська на тамільська: மாணிக்கம்
• Перекладач з малайська на маратхі: माणिक
• Перекладач з малайська на турецька: kan çıbanı
• Перекладач з малайська на італійська: carbonchio
• Перекладач з малайська на польська: karbunkuł
• Перекладач з малайська на українська: карбункул
• Перекладач з малайська на румунська: carbuncul
• Перекладач з малайська на грецька: ρουμπίνι
• Перекладач з малайська на африкаанс: smarag
• Перекладач з малайська на шведська: böld
• Перекладач з малайська на норвезька: karbunkel

10 МАЛАЙСЬКА КНИЖКИ ПОВ'ЯЗАНІ ІЗ «INAS»

Дізнайтеся про вживання inas з наступної бібліографічної підбірки. Книжки пов'язані зі словом inas та короткі уривки з них для забезпечення контексту його використання в малайська літературі.

Current-phase Relationship of Nb-InAs(2DES)-Nb ...

NbO25 Gate Nb Nb Depletion layer a20nm» 2DES p-Type InAs (a) Nb a 120 nm » Nb SiO 2 p-Type InAs 2DES Depletion layer Nb (b) Gate GaAs substrate (c) Figure 2.1: Schematic cross sections of SNS Josephson junctions: (a) overlap ...

Mark Ebel, 2004

Scanning Probe Microscopy of Inas/Inp Nanowires

Bachelor Thesis from the year 2011 in the subject Physics - Other, grade: 1,0, LMU Munich, language: English, abstract: In this thesis the InAs(111)B surface and III-V semiconductor nanowires are investigated using scanning tunneling ...

Stephan Pröller, 2013

Solid State Physics: Advances in Research and ... - Halaman 59

tal measurements, the major exceptions being the predictions of early theories for the GaSb/AlSb and InAs/AlSb valence-band offsets. Theoretical band offset values for the InAs/GaSb/AlSb material system are summarized in Fig. 18 and Table ...

Gerard Meurant, 1992

Handbook of Crystal Growth: Fundamentals - Halaman 493

Due to the 7% lattice mismatch between InAs and GaAs, many shapes of self-assembled QDs can be fabricated depending on growth orientations. The InAs on the GaAs(001) produces a three-dimensional island shape on the InAs with ...

Tatau Nishinaga, 2014

MOCVD Growth and Electrical Characterisation of InAs ...

It is the aim of this book to contribute towards a better understanding of the fundamental material characteristics and in particular to improve on the current understanding of the growth dynamics of InAs.

Precious Shamba, 2011

Migration from the Russian Empire: June 1889-July 1890 - Halaman 90

3NI3H3S 'QNI)IH3Sia 62 d iNAS iMzzzzyy 3nva39 'zvdos 12 J iNAS iMzzzzaa 3NVH0 '3i3na 22 d iNAS ANZzzzyy vyvs 'AXSN3yiSv fr2 d iNAS ANZZZZdd vNzrwiwa 'vxsMOiawva ZI d iNAS ANZzzzyy 3H3Si3 'NNVWiilNHOS ZZ d iNAS ...

Ira A. Glazier, 1998

Nano-Optoelectronics: Concepts, Physics and Devices - Halaman 102

4.3.1 Overview Extensive studies have been performed investigating the initial stages of InAs growth on GaAs(001) surfaces using RHEED and STM. It is widely accepted that InAs growth on GaAs(001) proceeds in a Stranski-Krastanow (SK) ...

Marius Grundmann, 2002

Semiconductor Nanostructures - Halaman 51

An early study on chemical-beam epitaxy of strained InAs quantum wells in InP matrix indicated the existence of respective growth parameters [31]. Introduction of a growth interruption after InAs deposition and prior to InP cap layer growth was ...

Dieter Bimberg, 2008

Handbook of Lasers - Halaman 240

... 128,129 InSb 5.085-5.28 J p 10 215 Optically Pumped Lase AIGaAs/AlGaAs -0.636 H p 300 77 GaAs 0.83 crystal p 300 HI GaAi 0.8365 crystal p 77 113 GaAs/AlGaAs -12.5 QW p 77 244 GaAs/InAs -0.84-0.86 SCHSSQW p, cw 77 118 GaSb ...

Marvin J. Weber, 2000

Atomistic Aspects of Epitaxial Growth - Halaman 323

Gerard, J.M., Marzin, J.Y., Zimmermann, G., Ponchet, A., Cabrol, O., Barrier, D., Jusserand, B., and Sermage, B. (1996) InAs/GaAs quantum boxes obtained by self-organized growth: Intrinsic electronic properties and applications, Solid St.

Miroslav Kotrla, 2002