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Meaning of "MΩ" in the German dictionary

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WHAT DOES MEAN IN GERMAN?

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MΩ

ohm

Ohm

Ohm is the derived SI unit of the electrical resistance with the unit sign Ω. It is named after Georg Simon Ohm. The ohmic law named after it represents a simple relationship between the applied voltage and the resulting current for so-called ohmic conductors. The reciprocal of the electrical resistance, ie the electrical conductance G, has the unit Siemens. Ohm ist die abgeleitete SI-Einheit des elektrischen Widerstands mit dem Einheitenzeichen Ω. Sie ist nach Georg Simon Ohm benannt. Das nach ihm benannte ohmsche Gesetz stellt einen einfachen Zusammenhang zwischen der angelegten Spannung und dem daraus resultierenden Strom für sogenannte ohmsche Leiter dar. Der Kehrwert des elektrischen Widerstandes, also der elektrische Leitwert G, hat die Einheit Siemens.

Definition of in the German dictionary

Megohms. Megaohm.
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m. m.
m. p.
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m. v.
m. W.
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mA
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Trends of use of MΩ

TRENDS

TENDENCIES OF USE OF THE TERM «MΩ»

The term «MΩ» is quite widely used and occupies the 25.446 position in our list of most widely used terms in the German dictionary.
0
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Quite widely used
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The map shown above gives the frequency of use of the term «MΩ» in the different countries.
Principal search tendencies and common uses of
List of principal searches undertaken by users to access our German online dictionary and most widely used expressions with the word «MΩ».

Examples of use in the German literature, quotes and news about MΩ

EXAMPLES

10 GERMAN BOOKS RELATING TO «MΩ»

Discover the use of in the following bibliographical selection. Books relating to and brief extracts from same to provide context of its use in German literature.
1
Stahlbau: Grundbegriffe und Bemessungsverfahren
Für den Sonderfall des Stabes mit I-Querschnitt kann als Kräftepaar der beiden Flanschbiegemomente M sup und Minf (Bild 4.29) definiert werden: = Msup(h–tf) (4.53) Mit der Definition des Flanschbiegemomentes Msup gemäss ( 4.47 ...
Manfred A. Hirt, Rolf Bez, Alain Nussbaumer, 2007
2
Analyse des Betriebsverhaltens von ...
Lukas Lüke. MEA-Typ ein nahezu konstanter Ohm'scher Zellwiderstand um 80 cm2 über 1100 h gemessen [18]. Ähnlich geringe Veränderungen des Ohm' schen Zellwiderstands wurden auch in Versuchen mit anderen MEAs erzielt.
Lukas Lüke, 2013
3
Entwicklung supraleitender, strombegrenzender Transformatoren
Strombegrenzung Widerstand OS-Wicklung (77 K) R os 18 Widerstand OS- Wicklung bezogen bei (77 K) R'os 6 Streureaktanz Supraleitender Transformator Xσ 263 Streureaktanz Supraleitender Transformator bezogen X'σ 95  ...
André Berger, 2011
4
Bestimmung der Messunsicherheit nach GUM
MESSGRÖßE / KLEINSTE ANGEBBBARE MESSUNSICHERHEIT (RELATIV KALIBRIERGEGENSTAND MESSBEREICH BEMERKUNGEN ZUR MESSGRÖßE) 1mΩ 5⋅10-6 2⋅10-6 4⋅10-6 3⋅10-6 (...) 10 Die kleinste 100 1 Ω (.
Bernd Pesch, 2003
5
Stahlbau: Teil 2 - Stabilität und Theorie II. Ordnung
Bei den Nachweisen in Tabelle 7.8 sind die Bedingungen Mxp = Mxs = = 0 enthalten. Die Bedingung = 0 führt dazu, dass der Querschnitt bei gewissen Schnittgrößenkombinationen nicht voll durchplastiziert ist. Die vorhandenen ...
Rolf Kindmann, 2012
6
LED Überwachung: Ausfallüberwachung von Leuchtdioden in ...
... 4,5 bei einer Sperrspannung von 5V und einer Beleuchtungsstärke von 10 lx bis 2000 lx. nur Umgebungslicht nur Sendelicht Umgebunslicht + Sendelicht ∆ Ri,Foto 3,6 81,6 KΩ 68 KΩ ∆Ri,LED 10 8,2 3,6 Der differentielle ...
Benjamin Lehmann, 2007
7
Quasi-eindimensionale elektronische Zustände auf der ...
Für eine π-Kette, die eine Stufe kreuzt, ergibt sich damit ein Widerstand von 0,5 . Wir nehmen an, dass die Leitfähigkeit der Si(111)-2×1- Fläche kleiner ist als des metallischen Adsorbatsystems Si(111)-Ag. Der Widerstand Rπ über eine ...
Jens Karsten Garleff, 2005
8
Die tribologischen Eigenschaften von vergoldeten ...
AuCo einen Übergangswiderstand von 2 − 3 auf. Bei der maximal untersuchten Beanspruchung mit FN = 4,6 N sinkt der Übergangswiderstand unter einen Wert von 1 . Die Untersuchung der Paarung LP-NiP vs. Terminal- AuCo liefert ...
Hoppe, Tobias, 2014
9
Materialsysteme für das pulverbettbasierte 3D-Drucken
Es soll zusätzlich keine Verminderung der Festigkeit durch die Leiterbahnen gegenüber polymerem Grundmaterial vorliegen. Zudem soll eine spezifische Leitfähigkeit von mindestens 10 −1mm−1 (Hofmann et al. 2007) und eine Breite der ...
Imke Nora Kellner, 2012
10
Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von ...
Dadurch konnte der für die Verlustleistung verantwortliche spezifische Durchlasswiderstand Rsp =RDS(on)·A ·mm2 ebenfalls gesenkt werden. Vor fünf Jahren wurde in der Spannungsklasse von 50 V der Durchchlasswiderstand von 100 ...
Valeri Benkendorf, 2003

10 NEWS ITEMS WHICH INCLUDE THE TERM «MΩ»

Find out what the national and international press are talking about and how the term is used in the context of the following news items.
1
D2PAK+ 40V, 160A, 1.5 MOSFETs for automotive applications
The TK1R5R04PB is rated for 40V and 160A and has a maximum on resistance of 1.5 (VGS = 10V). Minimum and maximum voltage threshold ratings (Vth) ... «EDN Europe, Oct 16»
2
Toshiba unveils D2PAK+ 40V 160A 1.5 MOSFET for Automotive ...
The TK1R5R04PB is rated for 40V and 160A and has a maximum on resistance of 1.5 (VGS = 10V). Minimum and maximum voltage threshold ratings (Vth) ... «Automotive World, Oct 16»
3
Industrieerster 1000-V-MOSFET in Siliziumkarbid für Batterie-Lader
Der On-Widerstand des 1000-V-MOSFET im 4L-TO247-Gehäuse beträgt 65 . Erhältlich ist der SiC-Baustein unter der Artikelnummer C3M0065100K bei ... «Elektronikpraxis, Oct 16»
4
Vishay Intertechnology Low-Profile, High-Current Inductors ...
Offered in the 2727, 4027, 4031, and 5151 case sizes, Vishay Dale IFLR series devices offer high saturation current to 71 A, very low DCR to 0.26 , and ... «GlobeNewswire, Sep 16»
5
800 V sets a new benchmark in efficiency and thermal performance
The 800 V CoolMOS P7 MOSFET family will be available in twelve R DS(on) classes and in six packages, and parts with R DS(on) of 280 , 450 , 1400  ... «EETE Power Management, Sep 16»
6
1.2kV SiC half-bridge has 3.6 switches
1.2kV SiC half-bridge has 3.6 switches. Wolfspeed has cut switch resistance to 3.6 in its 1,200V all-silicon carbide half-bridge. «Electronics Weekly, Jul 16»
7
Siliziumkarbid: Infineon präsentiert 1200-V-SiC-MOSFET
Die ersten diskreten 1200-V-CoolSiC-MOSFETs sind mit einem Durchlasswiderstand (R DS(ON)) von nur 45 spezifiziert und werden in 3- oder 4-poligen ... «elektroniknet.de, May 16»
8
Prinzip der Messung des Isolationswiderstands
Eine ordnungsgemäße und zuverlässige Isolierung muss höhere Werte (Größenordnung: 5 , 10 , 20 und mehr) aufweisen. Geringere Messwerte (< 5 ... «elektrofachkraft.de, Mar 16»
9
Neues von Arrow: LTC3649 - 60 V/4 A-Synchron-Abwärtsregler mit ...
Der LTC3649 enthält Leistungsschalter mit einem RDS(ON) von nur 100 bzw. 50 und erzielt dadurch Wirkungsgrade von bis zu 95 %. Der Burst Mode® ... «PresseBox, Jan 16»
10
Wide-Bandgap-Materialien: GaN gibt Gas
Der Baustein »TPH3205WS« mit einem On-Widerstand von 52 und einer maximalen Strombelastbarkeit von 34 A nutzt das propretäre ... «elektroniknet.de, Nov 15»

REFERENCE
« EDUCALINGO. [online]. Available <https://educalingo.com/en/dic-de/m-4>. Jul 2020 ».
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