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沟道

중국어 사전에서 "沟道" 뜻

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중국어 에서 沟道 의 발음

gōudào



중국어에서 沟道 의 뜻은 무엇인가요?

중국어 사전에서 沟道 의 정의

트렌치 1. 홈이있는 홈 모양의 선이나 홈이 있습니다. 2 기념물에 새겨진 Yinwen 물마루를 나타냅니다.


沟道 운과 맞는 중국어 단어

八正道 · 办道 · 半道 · 安国之道 · 安贫乐道 · 安贫守道 · 悲声载道 · 扳道 · 报道 · 抱道 · 暴虐无道 · 榜道 · 爱之必以其道 · 爱非其道 · 白衣道 · 白道 · 百道 · 败道 · 邦道 · 霸道

沟道 처럼 시작하는 중국어 단어

· 沟槽 · 沟池 · 沟防 · 沟封 · 沟沟坎坎 · 沟谷 · 沟灌 · 沟贯 · 沟郭 · 沟壕 · 沟涧 · 沟浇 · 沟境 · 沟口健二 · 沟垒 · 沟楼 · 沟娄 · 沟满壕平 · 沟满濠平

沟道 처럼 끝나는 중국어 단어

便做道 · 便则道 · 便好道 · 便道 · 倍道 · 别径奇道 · 北京地下铁道 · 北海道 · 北道 · 卑不足道 · 卑卑不足道 · 壁道 · 备道 · 本道 · 背道 · 辟道 · 辩道 · 边道 · 避道 · 鼻道

중국어 사전에서 沟道 의 동의어와 반의어

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沟道 의 번역

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沟道 의 사용 경향

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«沟道» 의 용어 사용 경향

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沟道 에 대한 중국어 문헌, 인용문 및 뉴스에서 사용된 사례

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«沟道» 관련 중국어 책

다음 도서 목록 항목에서 沟道 의 용법을 확인하세요. 沟道 에 관련된 책과 해당 책의 짧은 발췌문을 통해 중국어 서적에서 단어가 사용되는 맥락을 제공합니다.
1
数字电路与逻辑设计 - 第 27 页
由 N 沟道 MOS 管、 P 沟道 MOS 管和 N 、 P 沟道 MOS 管的结合,可分别构成 NMOS 门电路、 PMOS 门电路和 CMOS 门电路。 2.5.1 MOS 场效应管及其开关特性 MOS 场效应管(以下简称 MOS 管)按所用材料可分为 P 沟道和 N 沟道两大类,由于采用 ...
林红, ‎周鑫霞, 2004
2
逻辑设计与数字系统 - 第 75 页
SiCh 田 4.3 · lNMOS 答结构示袁图 M ( ) S 管按其沟遭和工作类型可分成以下四种。( l ) N 沟道增强型 N 沟道增强型场效应管的结构图见图 4 · 3 · 1 。它用 P 型材料作基片(村底) ,源区和漏区是 N 型掺杂的扩散区。当栅极电压(严格地说,是栅极对源极的 ...
刘宝琴, ‎王德生, ‎罗嵘, 2005
3
现代电力电子器件及其应用 - 第 48 页
JFET 的 Jo - Us 关系从线性转入饱和,是因为沟道两侧有随着 Us 的上升而成楔形扩展的空间电荷区,空间电荷区的楔形扩展使导电沟道一端被夹断。如果增强型 MOSFET 的 Jo 饱和也与沟道的一端被夹断有关,那么沟道是怎样随着 Us 的上升而收缩, ...
华伟, ‎周文定, 2002
4
高等模拟集成电路 - 第 1 页
1 · 1 · 5 短沟效应随着半导体工艺水平的提高,器件的尺寸越来越小,目前的沟道最小长度已经小于 gOnm ,沟道长度为 0 · 25 卜 m 、 O · 18 厂 m 的工艺己经相当普遍。减小器件尺寸可以提高电路的速度和集成度,但同时也给器件的特性带来了影响,通常 ...
董在望, 2006
5
半导体集成电路 - 第 47 页
W / L 应改写成甚嘉,于是饱和区沟道电流 fDs 的表达式( 2 · 35 )应改写成/Ds =凸凹( V 。 s 一 VTE ) 2 ( I 十 AVB ) 2L 从上述的讨论可知,一级 MOS 晶体管直流模型( MOS1 模型)有以 0 强反型时的表面势垒高度 PB ( PHI ) ; 0 本征跨导 Kp ( KP ) ; 0 衬底 ...
朱正涌, 2001
6
数字电路与逻辑设计教程 - 第 52 页
当加上负的栅极电压时, N 型导电沟道变浅。栅压负到一定数值,以致把这条电子导电沟道全部耗尽完了时,该 MOS 管才不能导通,故有耗尽型之称。将沟道刚耗尽完的栅压叫做夹断电压 V 品。( 4 ) P 沟道耗尽型-这种场效应管的栅压为 0 时,仍有 P 型沟道 ...
谢声斌, 2004
7
数字设计基础与应用 - 第 38 页
在数字集成电路中, MOS 器件通过隔离的栅极电压控制沟道导电,实现开关功能。 NMOS 管是 N 沟道 MOS 管的简称,其结构是在 P 型半导体上制作两个 N 型电极(源极 S 和漏极 D )和一个隔离的金属栅极 G 。当栅源电压屹 s 大于开启电压巧(闽值电压) ...
邓元庆, ‎关宇, ‎贾鹏, 2005
8
电工学实践教程 - 第 79 页
A.7 场效晶体管场效晶体管按结构的不同可分为结型和绝缘栅型;按工作性能可分为耗尽型和增强型;按所用基片(衬底)材料不同,又可分为 P 沟道和 N 沟道两种导电沟道。因此,有结型 P 沟道和 N 沟道,绝缘栅耗尽型 P 沟道和 N 沟道及增强型 P 沟道和 N ...
张廷锋, 2006
9
模拟电子技术 - 第 28 页
朱定华, 吴建新, 饶志强. 达到控制漏极电流砧的目的。对 N 沟道增强型的 MOS 场效应管,当 UGs = 0 时,在漏极和源极的两个 N "区之间是 P 型衬底。因此漏、源之间相当于两个背靠背的 PN 结。所以,无论漏、源之间加上何种极性的电压,总是不导通的, ...
朱定华, ‎吴建新, ‎饶志强, 2005
10
数字电路与系统: - 第 227 页
当栅极电压(严格地说·是栅极对源极的电压)增加到一定数值(即开启电压 VT )时,在栅极下面的衬底表面形成 n 型电子导电沟道。故称为 n 沟道场效应管或 NMOS 管。随着正栅压的增加,导电沟道扩大(增 51 ) ,所以称为增强型。由于 NMOS 管沟道中的载 ...
刘宝琴, 1993

«沟道» 단어를 포함하는 뉴스 기사

다음 뉴스 기사의 맥락에서 국내 및 국제 언론이 말하는 내용 및 沟道 단어를 사용하는 방법을 알아보세요.
1
ST MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增
ST MDmesh™ M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员,新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决 ... «华强电子世界网, 9월 15»
2
窥视月球表面神秘洞穴:温度恒定没有辐射
美国宇航局试图利用“天窗”来探索月球表面下的洞穴和熔岩沟道。科学家们正在研制一种摄像技术,该技术使用激光将光线散射到洞穴内部,从而得出藏在月球表面下 ... «新浪网, 8월 15»
3
刘老庄连:82烈士书写悲壮抗战传奇
在苏北这样的平原水网地带,4连唯一可用来打阻击的工事就是交通沟。这种被当地群众称为“抗日沟”的交通沟,就是在地面上挖半人多深的沟道。 为了拖住敌人,争取 ... «新华网, 8월 15»
4
安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
5月19日消息,推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor),针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的 ... «慧聪网, 5월 15»
5
罗姆将量产采用沟道构造的SiC功
罗姆2015年4月23日宣布,开发出了采用沟道构造的SiC(碳化硅)功率MOSFET,并将开始量产。该公司介绍称,“这是全球首次量产沟道型SiC功率MOSFET”。新产品 ... «集微网, 4월 15»
6
省级老领导对延安“治沟造地”工程交口称赞(组图)
治沟造地,是延安市针对黄土高原丘陵沟壑区特殊地貌,集坝系建设、旧坝修复、盐碱地改造、荒沟闲置土地开发利用和生态建设为一体的一种沟道治理新模式,是增 ... «三秦都市报, 9월 14»
7
Vishay发布业内首款采用热增强PowerPAK® SC-70封装的150V N沟 …
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。 «电子产品世界, 5월 14»
8
兰州地铁1号线施工现场发生塌方事故致2人死亡
... 地铁1号线施工工地东方红广场段进行污水管道改造作业,两名工人在沟道内准备铺设管道时发生塌方。现场开挖的沟道深约3米,塌方土方将沟道掩埋近一半深。 «凤凰网, 4월 14»
9
要植被还是要粮食?治沟造地让陕北老乡不再纠结
记者在子长县西山沟造地区域看到,原本起伏的沟道平整成了大片田地,沟道两边的山坡上种满了树。 西部网讯(记者王莹) “退耕还林”大家并不陌生,但如果一个县 ... «西部网, 4월 14»
10
宁夏灭门案嫌犯指认现场曾当过兵刀刀致命
... 的甘肃平凉、宁夏固原的主要路口和重点路段设立24小时不间断盘查卡点,组织民警、武警及红河乡、村干部,对文沟村周边的山地、沟道进行全方位、地毯式搜查。 «新华网, 10월 13»
참조
« EDUCALINGO. 沟道 [온라인]. <https://educalingo.com/ko/dic-zh/gou-dao-2> 사용 가능. 6월 2024 ».
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