O QUE SIGNIFICA エピタキシャル‐せいちょう EM JAPONÊS
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definição de エピタキシャル‐せいちょう no dicionário japonês
Crescimento epitaxial 【Crescimento epitaxial】 Para crescer novos cristais sobre o cristal que se torna o substrato "crescimento epitaxial". É usado para fabricação de circuitos integrados. Crescimento do cristal epitaxial. エピタキシャル‐せいちょう【エピタキシャル成長】 《epitaxial growth》基板となる結晶の上に、新しく結晶を成長させること。集積回路製作のために用いられる。エピタキシャル結晶成長。
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10 LIVROS EM JAPONÊS RELACIONADOS COM «エピタキシャル‐せいちょう»
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エピタキシャル‐せいちょう na seguinte seleção bibliográfica. Livros relacionados com
エピタキシャル‐せいちょう e pequenos extratos deles para contextualizar o seu uso na literatura.
エピタキシャル結晶成長 LED ウェーハは、単結晶基板の上に n 層、発光層、 p 層からなる LED 動作層をエピタキシャル結晶成長法で積層して作製します。主なエピタキシャル結晶成長法には、 LPE 法、 V PE 法、 MOVPE 法、 MBE 法があります。それぞれの ...
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白色LED照明システム技術と応用 - 55 ページ
I^)ので,融液からのバルク単結晶の成長が極めて難しいためである。し力、し,サフアイア基板を用いた系エピタキシャル成長では,基板とエピタキシャル膜の格子定数のずれが大きいため(^メぉ),エピタキシャル膜中に 109 (;は一2 程度の貫通転位が発生する。
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高校化学からはじめる半導体 - 129 ページ
板といいます)の原子のならびにあわせて,新しい結晶を成長させます(エピタキシャルとはギリシャ語で「上に,規則正しく」という意味です.インゴットを作るときの,種結晶への最初の成長も物理的には同じ現象です) .基板と同じ物質を成長させる場合はホモ ...
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メイド・イン・ジャパンの逆襲: 注目技術の核心
ここでは現状の GaN の薄膜結晶基板の成長法を述べます。シリコン基板などにヘテロエピタキシャル成長させる方法が主流です。極薄膜結晶成長法以前から我が国ではシリコン基板上への GaN 薄膜結晶成長の研究が盛んでした。バルク結晶で作製できる ...
ェビ層 61)113X13113 ^ 6 1 -二エピタキシャル膜^さ) ,エピタキシー 6 口れ 3X7 エピタキシャル成長技術のこと. 4 エピタキシャル成長^々) .ェピタキシャル成長 6 口れ 3 耵 0 ^ ^ 1 基板結晶の上に,所望の性質と^さを有する薄膜結晶を成長させること.半導体素子 ...
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図解入門よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み: - 18 ページ
ここで取り上げるのは工ビタキシヤル成長法、ベベル加工、裏面ア二ールです。ウ工ーハなどの村料も叭○ 8 とは異なつてきますが、それについては第 5 章で説明します。エピタキシャル成長とは?ここではエピタキシャル成長が何かということについて説明して ...
河上先生に言われてやった実験は技術的意味が十分単結晶シリコンを気相還元法で成長させる技術が米国の 8 じ众から技術情報として入り、これを私の担社してからであるが、半導体素子製作においてエピタキシャル技術、すなわち素地単結晶シリコン上に ...
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The Transactions of the Institute of Electronics and ...
このょうなエッチ礼の中にエピタキシャル成長を行なうと乱の底面からだけでなく.側面からも成長が起こる.成長速度の異方性はエツチ速度の場合と全く逆になり)く 110 )方向で遽く釵く 1S ) .く 1 薔 0 )の頃におそくなる.このょうな事情のため.埋込み眉は図 3 に ...
Denshi Tsūshin Gakkai, 1972