O QUE SIGNIFICA トンネルじきていこう‐こうか EM JAPONÊS
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definição de トンネルじきていこう‐こうか no dicionário japonês
【Impulso de magnetorresolução do túnel】 Um fenômeno em que a corrente do túnel que flui através de uma fina película isolante intercalada entre as camadas de metal ferromagnético é alterada por um campo magnético. No momento da descoberta em 1975, era necessário arrefecer a amostra para quase 270 graus Celsius, mas o mesmo fenômeno poderia ser realizado a temperatura ambiente em 1995. Isso leva à aplicação prática de elementos magnetorresistentes em túnel, que é conhecido por ter sido aplicado à parte de leitura (cabeça magnética) do disco rígido seguindo o elemento magnetoesistivo gigante, resultando em um aumento na capacidade de armazenamento. TMR (magnetorresistência do túnel). トンネルじきていこう‐こうか【トンネル磁気抵抗効果】 強磁性の金属層に挟まれた薄い絶縁膜を通って流れるトンネル電流が磁場により変化する現象。1975年の発見当時は試料をセ氏零下270度近くまで冷却する必要があったが、1995年に同様の現象が室温でも実現できるようになった。これによりトンネル磁気抵抗素子への実用化につながり、巨大磁気抵抗素子に続いてハードディスクの読み出し部分(磁気ヘッド)に応用され、記憶容量の増加をもたらしたことで知られる。TMR(tunnel magnetoresistance)。
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磁場をかける抵抗か小さい磁場=平行 r c 国 r Fe Fe 巨大磁気抵抗( GMR )効果の原理図[磁場をかけない抵抗が大きい磁場=反平行図 7 ーー e c F C F 日本発の「巨大トンネル磁気抵抗効果」ところが、一一一世紀に突入すると、この GMR をさらに発展させた「 ...
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Nihon Genshiryoku Gakkaishi: Journal of the Atomic Energy ...
を用いることで,従来からのナノグラ二ユラ一薄膜の磁気抵抗〔 2096 以下)を越える,これまでで最高レベルのトンネル磁気抵抗( ! ^ )効果( 50 〜 8096 )が生じることを発見した。トンネル磁気抵抗効果は,絶緣層で隔てられた強磁性金属間の構造において,スピン ...
Nihon Genshiryoku Gakkai, 2006
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よくわかる最新電子デバイスの基本と仕組み: 組み込みシステムにおける基本デバイス : ものづくりの精華
~65 エンベテーッドアレイ~~~~~~~~~ ~75 オン抵抗. . . ~ . ~ - ,ー- -ー,ーー- - - ~ ~ - - ~ - ~ー. ~82 温度 ... ー 95 キャラクタタイプ~~~~~~~~~~~~~~~~~ ~ ~ー 92 強磁性トンネル磁気抵抗効果素子ー.ーーーー 82 金属測温抵抗体ーーーーーーーーーーーーーー ...
一方, 0 ,丁;クラスターの磁気抵抗は正であるが,低磁場領域で増加し,高磁場領域で飽和した後,僅かに減少する。より低温での横磁気抵抗効果の測定が必要である。更に ... したがって,クーロンブロッケード効果が支配的なトンネル伝導であると推測される。また ...
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日本金属学会誌 - 第 68 巻 - 82 ページ
れ 604 薄膜を用いた強磁性卜ンネル接合の磁気抵抗効果^西村和正 1 "手束展規 12 杉本諭 1 猪俣浩一郎 1 , 2 1 東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻 2 ぼ ... 一般に,トンネル磁気抵抗(丁^ 10 効果は強磁性電極のスピン分極率: 1 , 2 〕を用いて丁!
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Denkigakkai zasshi: The Journal of the Institute of ...
の磁気抵抗効果を 400 じ/ 3 および 30 1 ^ 0 で測定した結果が第 2 図で,この材料の方形試料では 10 ^ 1 じでリアクタンス分が ... お子力学的トンネル効果と超伝導現象とが組み合わされた実験装醒で,制御可能な非線形電圧電流特性に半導体と似た負抵抗 ...
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スピントロニクスの基礎: 磁気の直観的理解をめざして
磁性の基礎理論、磁性材料、磁気現象、デバイスへの応用。スピントロニクスに必要な知識を「実験」「理論」の両面から詳しく説明。
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Intermediate Technical Japanese, Volume 1: Readings and ...
非常に薄い不連続膜の領域では,クの印加電圧依存性,遷移金属薄膜での磁気抵抗効果,異常表皮効果,渦電流などの電流磁気効果の測定値は膜厚,膜の構造,吸着気体などに強く影響される.誘電体膜の膜厚が非常に薄い場合,膜厚方向にトンネル効果による ...
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実践ゼミナール半導体の基礎強化書: Dリコン物性、MOS、CMOS - 75 ページ
磁気トンネル効果を利用した^尺八^や相変化を利用した? ... これらの名称ですが、本により色々な名称が与えられています。 ... 例えば、カルコゲナイド合金のようにアモルフアス相では高抵抗に、結晶相では低抵抗になるような材料を用い、このふたっの状態を ...
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Exaflops: 米国ハイテク戦略の全貌 - 91 ページ
分子ロジック 4 単層カーボンナノチューブの電界効果トランジスタ一ミ.コマーシャル旧 V 巨大磁気抵抗へッドら.ナノエレクトロニック-デバイス I.ナノエレクトロニクスにおける共鳴トンネルデバイスえナノデバイスと宇宙探査におけるブレークスルー 1 ドラッグデリ 1 ...