CE ÎNSEAMNĂ 沟道 ÎN CHINEZĂ?
Apasă pentru a
vedea definiția originală «沟道» în dicționarul Chineză dictionary.
Apasă pentru a
vedea traducerea automată a definiției în Română.
Definiția 沟道 în dicționarul Chineză
Canale 1. Șanțuri mici, cum ar fi șanțuri sau canale. 2. Inscripția de pe tabletă este sculptată din slotul Yin Wen. 沟道 1.低凹如沟状的纹路或通道。
2.指碑上刻出的阴文线槽。
Apasă pentru a
vedea definiția originală «沟道» în dicționarul Chineză dictionary.
Apasă pentru a
vedea traducerea automată a definiției în Română.
CĂRȚI ÎN CHINEZĂ ÎN LEGĂTURĂ CU «沟道»
Descoperă întrebuințarea
沟道 în următoarea selecție bibliografică. Cărți în legătură cu
沟道 și extrase din aceasta pentru a furniza contextul de întrebuințare al acestuia în literatura Chineză.
由 N 沟道 MOS 管、 P 沟道 MOS 管和 N 、 P 沟道 MOS 管的结合,可分别构成 NMOS 门电路、 PMOS 门电路和 CMOS 门电路。 2.5.1 MOS 场效应管及其开关特性 MOS 场效应管(以下简称 MOS 管)按所用材料可分为 P 沟道和 N 沟道两大类,由于采用 ...
SiCh 田 4.3 · lNMOS 答结构示袁图 M ( ) S 管按其沟遭和工作类型可分成以下四种。( l ) N 沟道增强型 N 沟道增强型场效应管的结构图见图 4 · 3 · 1 。它用 P 型材料作基片(村底) ,源区和漏区是 N 型掺杂的扩散区。当栅极电压(严格地说,是栅极对源极的 ...
JFET 的 Jo - Us 关系从线性转入饱和,是因为沟道两侧有随着 Us 的上升而成楔形扩展的空间电荷区,空间电荷区的楔形扩展使导电沟道一端被夹断。如果增强型 MOSFET 的 Jo 饱和也与沟道的一端被夹断有关,那么沟道是怎样随着 Us 的上升而收缩, ...
1 · 1 · 5 短沟效应随着半导体工艺水平的提高,器件的尺寸越来越小,目前的沟道最小长度已经小于 gOnm ,沟道长度为 0 · 25 卜 m 、 O · 18 厂 m 的工艺己经相当普遍。减小器件尺寸可以提高电路的速度和集成度,但同时也给器件的特性带来了影响,通常 ...
W / L 应改写成甚嘉,于是饱和区沟道电流 fDs 的表达式( 2 · 35 )应改写成/Ds =凸凹( V 。 s 一 VTE ) 2 ( I 十 AVB ) 2L 从上述的讨论可知,一级 MOS 晶体管直流模型( MOS1 模型)有以 0 强反型时的表面势垒高度 PB ( PHI ) ; 0 本征跨导 Kp ( KP ) ; 0 衬底 ...
当加上负的栅极电压时, N 型导电沟道变浅。栅压负到一定数值,以致把这条电子导电沟道全部耗尽完了时,该 MOS 管才不能导通,故有耗尽型之称。将沟道刚耗尽完的栅压叫做夹断电压 V 品。( 4 ) P 沟道耗尽型-这种场效应管的栅压为 0 时,仍有 P 型沟道 ...
在数字集成电路中, MOS 器件通过隔离的栅极电压控制沟道导电,实现开关功能。 NMOS 管是 N 沟道 MOS 管的简称,其结构是在 P 型半导体上制作两个 N 型电极(源极 S 和漏极 D )和一个隔离的金属栅极 G 。当栅源电压屹 s 大于开启电压巧(闽值电压) ...
A.7 场效晶体管场效晶体管按结构的不同可分为结型和绝缘栅型;按工作性能可分为耗尽型和增强型;按所用基片(衬底)材料不同,又可分为 P 沟道和 N 沟道两种导电沟道。因此,有结型 P 沟道和 N 沟道,绝缘栅耗尽型 P 沟道和 N 沟道及增强型 P 沟道和 N ...
朱定华, 吴建新, 饶志强. 达到控制漏极电流砧的目的。对 N 沟道增强型的 MOS 场效应管,当 UGs = 0 时,在漏极和源极的两个 N "区之间是 P 型衬底。因此漏、源之间相当于两个背靠背的 PN 结。所以,无论漏、源之间加上何种极性的电压,总是不导通的, ...
当栅极电压(严格地说·是栅极对源极的电压)增加到一定数值(即开启电压 VT )时,在栅极下面的衬底表面形成 n 型电子导电沟道。故称为 n 沟道场效应管或 NMOS 管。随着正栅压的增加,导电沟道扩大(增 51 ) ,所以称为增强型。由于 NMOS 管沟道中的载 ...
ȘTIRI NOI CARE INCLUD TERMENUL «沟道»
Află ce ziare naționale și internaționale au scris despre și cum este întrebuințat termenul
沟道 în contextul următoarelor știri.
ST MDmesh M2系列的N－沟道功率MOSFETs再增
ST MDmesh™ M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员，新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决 ... «华强电子世界网, Sep 15»
窥视月球表面神秘洞穴：温度恒定没有辐射
美国宇航局试图利用“天窗”来探索月球表面下的洞穴和熔岩沟道。科学家们正在研制一种摄像技术，该技术使用激光将光线散射到洞穴内部，从而得出藏在月球表面下 ... «新浪网, Aug 15»
刘老庄连：８２烈士书写悲壮抗战传奇
在苏北这样的平原水网地带，４连唯一可用来打阻击的工事就是交通沟。这种被当地群众称为“抗日沟”的交通沟，就是在地面上挖半人多深的沟道。 为了拖住敌人，争取 ... «新华网, Aug 15»
安森美半导体推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
5月19日消息，推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)，针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广的 ... «慧聪网, Mai 15»
罗姆将量产采用沟道构造的SiC功
罗姆2015年4月23日宣布，开发出了采用沟道构造的SiC（碳化硅）功率MOSFET，并将开始量产。该公司介绍称，“这是全球首次量产沟道型SiC功率MOSFET”。新产品 ... «集微网, Apr 15»
省级老领导对延安“治沟造地”工程交口称赞（组图）
治沟造地，是延安市针对黄土高原丘陵沟壑区特殊地貌，集坝系建设、旧坝修复、盐碱地改造、荒沟闲置土地开发利用和生态建设为一体的一种沟道治理新模式，是增 ... «三秦都市报, Sep 14»
Vishay发布业内首款采用热增强PowerPAK® SC-70封装的150V N沟 …
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70® 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。 «电子产品世界, Mai 14»
兰州地铁1号线施工现场发生塌方事故致2人死亡
... 地铁1号线施工工地东方红广场段进行污水管道改造作业，两名工人在沟道内准备铺设管道时发生塌方。现场开挖的沟道深约3米，塌方土方将沟道掩埋近一半深。 «凤凰网, Apr 14»
要植被还是要粮食？治沟造地让陕北老乡不再纠结
记者在子长县西山沟造地区域看到，原本起伏的沟道平整成了大片田地，沟道两边的山坡上种满了树。 西部网讯（记者王莹） “退耕还林”大家并不陌生，但如果一个县 ... «西部网, Apr 14»
宁夏灭门案嫌犯指认现场曾当过兵刀刀致命
... 的甘肃平凉、宁夏固原的主要路口和重点路段设立24小时不间断盘查卡点，组织民警、武警及红河乡、村干部，对文沟村周边的山地、沟道进行全方位、地毯式搜查。 «新华网, Oct 13»
