MOTS EN ALLEMAND EN RAPPORT AVEC «EPITAXIE»
Epitaxie
epitaxie
silicium
halbleiter
wörterbuch
Wörterbuch
wafer
eine
Form
Kristallwachstums
welche
beim
Aufwachsen
Kristallen
kristallinen
Substraten
auftreten
kann
spricht
wenn
mindestens
kristallographische
Orientierung
wachsenden
Kristalls
einer
Substrates
entspricht
bimberg
institut
für
festkörperphysik
berlin
Begriff
stammt
Griechischen
taxis
Ordnen
versteht
darunter
geordnete
Substanz
laser
materialbearbeitung
jenoptik
Wafern
weitere
Fachkompetenz
Hause
Jenoptik
liefern
hochwertige
MOVPE
MOCVD
Strukturen
Mineralienatlas
lexikon
Orientierte
Verwachsung
zweier
Mineralart
beruht
Analogien
Struktur
beider
Partner
zwei
Richtungen
ihres
Molekularstrahl
prinzip
Molecular
Beam
Epitaxy
modernes
Verfahren
Herstellung
qualitativ
hochwertiger
Schichtstrukturen
universal
deacademic
〈f
Bildung
Kristallen
eines
Stoffes
Unterlage
gleichen
anderen
weitgehend
ähnlichem
schichtabscheidung
fraunhofer
iisb
untersuchen
sich
diese
schädlichen
Kristallfehler
Substrat
während
Material
gelangen
können
vermeiden
lassen
ingenieurparadies
Unter
generell
Schicht
einkristallinen
wobei
Kristallstruktur
science
interface
Moderne
elektronische
Bauteile
Computerchips
Laserdioden
Schichten
verschiedener
Halbleitermaterialien
Diese
bedeutung
10 LIVRES EN ALLEMAND EN RAPPORT AVEC «EPITAXIE»
Découvrez l'usage de
Epitaxie dans la sélection bibliographique suivante. Des livres en rapport avec
Epitaxie et de courts extraits de ceux-ci pour replacer dans son contexte son utilisation littéraire.
1
Mikrosystemtechnik für Ingenieure
Bei der Hetero-Epitaxie werden Fremdschichten gleicher oder ähnlicher
Gitterkonstante auf dem Wirtskristall aufgebaut. Besondere Bedeutung haben
dabei einkristalline Schichten von Silizium auf Saphir erlangt. Für die einzelnen
Techniken ...
Wolfgang Menz, Jürgen Mohr, Oliver Paul, 2012
3. Heterogene. Keimbildung. und. Kristallisation. durch. Epitaxie. Die
Glaskeramiken, deren Entwicklung am erfolgreichsten war und die nun
umfassend technisch genutzt werden, werden nach den Mechanismen der
heterogenen ...
3
Einführung in die Kristallographie
Durch solche Verfahren der chemischen Abscheidung (engl. Chemical Vapour
Deposition, CVD), wird für manche Substanzen Epitaxie überhaupt erst möglich,
wenn direkte Verdampfung wegen zuvor erfolgender Zersetzung nicht möglich ist
...
Will Kleber, Hans-Joachim Bautsch, Joachim Bohm, 2002
4
Reinigung und Gasphasenepitaxie in einem ...
Das Ziel einer Vorreinigung f ̈ur die Epitaxie ist die Pr ̈aparation einer
kontaminationsfreien und glatten Oberfl ̈ache. Die Substratbehandlung vor der
Epitaxie beinhaltet dabei nicht nur Reinigungsschritte im eigentlichen Sinne,
sondern ...
5
Kompaktmodelle für Bipolartransistoren: Praxis der ...
IHC = Bezugsstrom für den Beginn der Ladungsträger-
Geschwindigkeitssättigung in der Epitaxie Der Modellparameter RCV beschreibt
den Widerstand der Epitaxie bei ohmschen Verhältnissen, d.h. unter der
Bedingung einer über die ...
6
Untersuchung von Degradationsmechanismen an ...
F ̈ur die Epitaxie von GaN stellt sich die Frage nach einem geeignetem Substrat
. F ̈ur die Materialsysteme GaAs und InGaAlP stehen GaAs-Substrate zur Verf
̈ugung, so dass git- terangepasste Epitaxie m ̈oglich ist. GaAs-Substrate sind ...
7
Technologien zur Realisierung langwellig emittierender ...
4. Technologieschritte. 4.1. Epitaxie. Alle hier verwendeten Halbleiterproben
werden mit Molekularstrahlepitaxie (MBE, “mo- lecular beam epitaxy”)
gewachsen. Die Bragg-Reflektoren werden mit einer SSMBE (“solid source MBE”
) ...
8
Epitaxy Data of Inorganic and Organic Crystals / ...
Band 8.
M. Gebhardt, K.-H. Hellwege, A. Neuhaus, 1972
9
Optisch gepumpte Halbleiter-Scheibenlaser mit monolithisch ...
Kapitel. 3. Technologie. 3.1. Epitaxie. und. Bauelementedesign. von. OPS.
Scheibenlaser. Die Epitaxiestrukturen der extern gepumpten OPS Scheibenlaser
sind mittels MOVPE (metal organic vapor phase epitaxy) bei OSRAM OS in ...
10
Schicht- und Resonatordesign von Halbleiterscheibenlasern
... S. Menzel, M. C. Riedel, R. R ̈osch, P. Unger, S.-S. Beyertt, U. Brauch, N.
Dhidah, A. Giesen and T. K ̈ubler, “MBE growth and charac- terization of
quantum well pumped disk lasers”, DGKK-Workshop III-V Epitaxie, Ulm, Germany
, Dec.
10 ACTUALITÉS CONTENANT LE TERME «EPITAXIE»
Découvrez de quoi on parle dans les médias nationaux et internationaux et comment le terme
Epitaxie est employé dans le contexte des actualités suivantes.
Integration neuer Materialien auf Siliziumchips
Dieses Verfahren, genannt Dünnschicht-Epitaxie, basiert auf dem Konzept der Domain-Matching-Epitaxie, die von Professor Narayan erstmals in 2003 in einem ... «elektronik informationen, juil 16»
Ungleiche Monoschichten für die Optoelektronik
Epitaxie oder das Züchten von kristallinen Filmschichten ist ein Hauptbestandteil der Herstellung von Transistoren und Halbleitern. Wenn das Material in einer ... «elektronik informationen, juil 16»
Die Branche erwartet starkes Wachstum für GaN-Devices
... den Verbundhalbleiter GaN. Die Unterschiede sind in der Regel marginal; oft handelt es sich um Detailverbesserungen der Technologie, etwa in der Epitaxie. «Elektronikpraxis, juin 16»
Fortschritte auf dem Weg zu Produkten: Sensorik mit Nanoröhrchen
Das ist deutlich kostengünstiger und auch schneller als mit herkömmlichen Verfahren wie Sputtern oder Epitaxie, weil dafür kein teurer Reinraum nötig ist. «elektroniknet.de, avril 16»
Was ist Methodisch inkorrekt? – Der Podcast der Wissenschaft
Während Nicolas Wöhrl bereits im Besitz eines Doktortitels ist, forscht Reinhard Remfort an der Herstellung von Diamanten, genauer gesagt mit der Epitaxie ... «E4SY - Einfach informiert!, mars 16»
Semikron Innovation Award 2016: Materialfehlerdiagnose für SiC ...
... Forschungsstiftung geförderten Projekt arbeitete das Team an einer Verbesserung des qualitätskritischen Prozessschrittes der Epitaxie des Driftgebiets sowie ... «elektroniknet.de, mars 16»
Chip mit integriertem Laser
„In die Spiegelschicht lassen sich dann feine Löcher ätzen, und in denen kann man mittels Epitaxie Atom für Atom, Schicht für Schicht Halbleiter-Nanodrähte ... «pro-physik.de, févr 16»
TUM bringt Nanolaser auf Silizium-Chip
In diesen werden dann „mittels Epitaxie [geordnetes Kristallwachstum, Anm. d. R.] Atom für Atom, Schicht für Schicht Halbleiter-Nanodrähte“ eingebracht, wie ... «Tom's Hardware, févr 16»
Cree erreicht neuen Leistungsstandard für High Power LEDs
Die führende Siliziumkarbid-Technologie bietet deutliche Verbesserungen bei der Epitaxie-Struktur, Chip-Architektur sowie ein fortschrittliches System zur ... «i-Magazin, août 15»
XLamp XHP35 von Cree mit einem 12-V-Power-Die
Zum Einsatz kommt die SC5-Technology-Plattform. Dabei handelt es sich um eine Silizimkarbid-Technik, welche die Epitaxie-Struktur, die Chip-Struktur sowie ... «Elektronikpraxis, août 15»
