WAS BEDEUTET ÉPITAXIE AUF FRANZÖSISCH
Epitaxie
Epitaxie ist eine Technik des orientierten Wachstums, eines in Bezug auf das andere, von zwei Kristallen, die eine gewisse Anzahl von Symmetrieelementen besitzen, die in ihren Kristallgittern üblich sind. Wir unterscheiden die Homo-Epitaxie, die darin besteht, einen Kristall auf einem Kristall von identischer chemischer Natur und Hetero-Epitaxie zu wachsen, in dem die beiden Kristalle von verschiedenen chemischen Naturen sind. Natürliches epitaktisches Mineralwachstum Etymologisch bedeutet "Ohr" auf Griechisch "Ein" und "Taxis", "Arrangement".
Definition von épitaxie im Wörterbuch Französisch
Die Definition der Epitaxie im Lexikon ist ein Phänomen der gegenseitigen Orientierung der Kristalle verschiedener Substanzen aufgrund enger Analogien in der Anordnung der Atome. Eine andere Definition von Epitaxie ist eine Technik, die verwendet wird, um Halbleitervorrichtungen zu erhalten, die einen Kristall auf einem nichtkristallinen Substrat bilden.
MIT «ÉPITAXIE» VERWANDTE WÖRTER IM WÖRTERBUCH FRANZÖSISCH
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10 BÜCHER, DIE MIT «ÉPITAXIE» IM ZUSAMMENHANG STEHEN
Entdecke den Gebrauch von
épitaxie in der folgenden bibliographischen Auswahl. Bücher, die mit
épitaxie im Zusammenhang stehen und kurze Auszüge derselben, um seinen Gebrauch in der Literatur kontextbezogen darzustellen.
1
Encyclopédie de sécurité et de santé au travail
Les plaquettes sont ensuite détachées avec une plaque chauffante, la cire est
éliminée au moyen de solvants et elles sont nettoyées. L'épitaxie Les plaquettes
de GaAs monocristallin servent de substrats sur lesquels on forme de très fines ...
Jeanne Mager Stellman,
2000
2
Physique et technologie des semiconducteurs
Pour le silicium, à l'exception de l'épitaxie de Si sur saphir, il s'agit en général d'
homoépitaxie. Le développement du procédé a été stimulé par la fréquente
nécessité dans certains procédés de fabrication de déposer une couche
faiblement ...
3
Implantation ionique et traitements thermiques en ...
Epitaxie conventionnelle haute température du Si Les procédés conventionnels
d'épitaxie du Si (à pression atmosphérique et avec des précurseurs chlorés style
SiCl4) étaient (et sont toujours) caractérisés par des températures de dépôt très ...
4
Hétéro-épitaxie de Nitrure de Gallium sur substrat de ...
Le travail présenté dans ce mémoire concerne l'hétéro-épitaxie de nitrure de galium sur substrat de silicium (111) par Epitaxie en Phase Vapeur d'OrganoMatalliques pour les applications optoélectroniques associées aux nitrures d ...
5
Préparation de surface avant épitaxie et réalisation de ...
Pour répondre aux exigences des futures technologies CMOS, de nombreuses approches architecturales font appel à des étapes d'épitaxie.
6
Technologies materielles futures de l'ordinateur
Rappelons en effet que pour une épitaxie type double barrière en absence de
confinement latéral seule l'énergie des électrons dans la direction de croissance
est quantifiée. Il en résulte l'existence de branches de dispersion dans la
direction ...
Pierre Chavel, Nicole de Beaucoudrey,
1993
7
Croissance de silicium monocristallin en couche mince par ...
Le travail fait appel à l'utilisation de couches sacrificielles servant de support à une croissance par épitaxie en phase liquide pour obtenir des cellules solaires.
8
Hétéroépitaxie des systèmes GaAs/Si et GaAs/InP par épitaxie ...
La croissance et la maîtrise des systèmes de matériaux désaccordés représentent une perspective très prometteuse dans le domaine des matériaux semi-conducteurs et leur technologie.
9
Etude de l'épitaxie sélective de GaN/saphir et GaN/GaN-MOVPE ...
L'activité épitaxie de GaN par la technique de croissance HVPE (Epitaxie en phase vapeur par la méthode aux hydrures), a vu le jour au LASMEA en 1998.
10
Delta-dopage de couches de silicium élaborées par épitaxie ...
Le but de cette étude est d'évaluer les potentialités de l'épitaxie par jet moléculaire avec implantation d'ions dopants (ejm21) pour l'élaboration de couches de silicium à dopage planaire (ou -dopage) et de réaliser avec ces ...
Elisabeth Dufour-Gergam,
1992
10 NACHRICHTEN, IN DENEN DER BEGRIFF «ÉPITAXIE» VORKOMMT
Erfahre, worüber man in den einheimischen und internationalen Medien spricht und wie der Begriff
épitaxie im Kontext der folgenden Nachrichten gebraucht wird.
RIBER : Commande d'un système de production
Bezons, le 1 er juillet 2015 - 17h45 - RIBER, spécialiste mondial de l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) annonce la commande d'un système ... «Zonebourse.com, Jul 15»
Soitec : Assemblée générale mixte du 10 juillet 2015 - Mise à …
... photovoltaïques à concentration (CPV), ses technologies Smart Cut™, Smart Stacking™ et Concentrix™, ainsi que son expertise en épitaxie, ... «Zonebourse.com, Jun 15»
Riber: prochaine AG reportée au 29 septembre.
Afin d'en vérifier les conséquences légales, le spécialiste de l'épitaxie par jets moléculaires engage les démarches nécessaires auprès des ... «ABC Bourse, Jun 15»
Riber: report de l'assemblée générale du 18 juin.
... une prolongation du délai légal de convocation de l'assemblée générale annuelle, explique le spécialiste de l'épitaxie par jet moléculaire. «L'Express, Jun 15»
Adrar : Les parents d'élèves inquiets
... les internautes à travers les réseaux sociaux par la diffusion de photos d'enfants évanouis et certains atteint d'épitaxie (saignement du nez). «El Watan, Mai 15»
Les nanofils semiconducteurs : de minuscules objets pour de …
Lorsqu'on l'applique au matériau GaAs, on lui donne même un joli nom: épitaxie, ce qui signifie que le solide qu'on fabrique est un cristal. «Le Huffington Post, Mai 15»
Riber: hausse de moitié du CA au 1er trimestre.
(CercleFinance.com) - Le spécialiste mondial de l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) Riber indique avoir enregistré au premier trimestre ... «Cercle Finance, Apr 15»
RIBER : RESULTATS CONSOLIDES 2014
Bezons, le 2 avril 2015 - 7h00 - RIBER, spécialiste mondial de l'épitaxie par jets moléculaires (MBE), annonce ses résultats annuels 2014. «EasyBourse.com, Apr 15»
Soitec : confirme être éligible au nouveau PEA-PME
... (CPV), ses technologies Smart Cut(TM), Smart Stacking(TM) et Concentrix(TM) ainsi que son expertise en épitaxie en font un leader mondial. «Zonebourse.com, Apr 15»
Riber: commande d'une machine MBE412 au Japon.
(CercleFinance.com) - Le spécialiste de l'épitaxie par jets moléculaires (MBE) Riber annonce la commande d'un système MBE412 par un ... «Boursorama, Jan 15»